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新設備でSiC、GaN等の難削材を高効率にマルチ切断・薄板化。コスト削減&研磨面の高品位化を実現。[セラテックジャパン]

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メールマガジン セラミックス(素材/加工)  / 2015年06月23日 /  セラミックス 電子・半導体 先端技術

No.1951 2015年6月23日

● 切断~研削~研磨まで一貫加工、表面粗さをナノオーダー以下で測定

SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)、サファイアなど、高硬度で加工
が難しいうえに高価な素材を、独自の高い研削技術と新たに導入した設備で
高精度にマルチ切断・薄板化。研磨面の高品位化を実現するのがセラテック
ジャパン株式会社様です。

切断から研削、研磨まで、社内で一貫加工できるだけでなく、リードタイム
の短縮や3次元測定技術が大幅に向上。難削材料・高硬度材料の加工が一段
と容易に行えるようになり、トータルコスト削減に貢献します。


■□――――――――― 【 ここにフォーカス 】 ―――――――――□■

高価な難削材・硬脆材を高効率・高精度に研削・研磨、コスト低減を実現
ファイナル研磨までのスループットも大幅に向上し、研磨面も高品位化

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■ 難削材を高効率かつ、高精度な研削面に仕上げる加工設備と技術
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今まで切断できなかったり、できてもコストが高くなったり、精度が悪かっ
たりした素材も同社の「ダイヤモンドワイヤーソー」ならマルチに切断可能。
中でも、SiC、GaN、AlN(窒化アルミニウム)、サファイア、超硬合金、硬
軟複合材、金属-セラミックス複合材などの切断に効果を発揮します。

例えば、SiC単結晶では、サイズ:φ4インチ、反り:0.04mm以下、厚みバラ
つき0.02mm以下の実績があり、従来の加工機と比べ、ウエハのソリ、厚みの
バラつきを半分以下に抑えます。

また、「バックグランダ(精密立形研削盤)」による研削で薄板化も実現。
「高品質な加工=歩留り向上」でトータルコストを削減します。

ファイナル研磨までの中間工程であるラップ工程を簡略化できるため、スル
ープットが向上。得意とする社内一貫加工とあわせ、短納期に対応できます。


■ ナノオーダー以下の表面粗さを捉え、研磨面の高品位化を実現
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さらに、「白色干渉方式3次元光学プロファイラー ZYGO」も導入。研磨面の
段差、微小領域の形状、表面粗さを非接触で迅速・高精度に3次元測定。よ
り高度な研磨技術の開発を加速します。

例えば、単結晶をCMP(Chemical Mechanical Polishing)した面の表面粗
さは1オングストローム台の測定まで可能。ナノオーダー以下の表面粗さを
捉えます。

非接触測定だから研磨面にキズを入れることなく3次元測定が可能。その測
定スピードは約5秒程度。データの表示までの時間を合わせても10秒以内と、
従来の1/3以下の時間ですみます。


難削材・硬脆材の高効率・高精度な切断・研削・研磨、コスト低減などに
ついて、お気軽にお問い合わせください。
 

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