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EBSD(電子線後方散乱回折法)を利用した結晶解析

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分析・解析 測定  /  自動車 電子・半導体 試験・分析・測定

EBSD(電子線後方散乱回折法)分析とは

 

①EBSD分析について

SEM(走査電子顕微鏡)と組み合わせて、試料表面で生じる電子線後方散乱回析により金属など結晶性材料の結晶方位・粒径・歪み分布などに関する情報を取得することが出来ます。金属結晶粒子の方位、微粒子化を解析する事で、問題点を顕在化させ、設計・プロセス・材料の改善や、品質トラブルの未然防止に役立てることが出来ます。また、 信頼性試験と組み合わせることにより、評価初期段階での歪み発生箇所の解明、破壊メカニズムの解明などに役立ちます。

 

②EBSD分析の原理

結晶性試料に電子ビームを照射し、試料からの反射電子を蛍光板に捉えることにより結晶構造を反映した菊池パターンを取得、ビームの当たった一点からの結晶の方位情報を得ます。
次に電子ビームをスキャンし、対象エリア全測定点からの方位情報をOIM(Orientation Imaging Microscopy)ソフト上で構築し、マッピング像を取得することによって試料の結晶方位・結晶粒・歪み・応力などの情報を得ます。

 

③EBSD分析 事例

初期状態では粒子の方位が一方向に揃っています。(上図)。
落下試験のサンプルは、はんだボール部全体に急激な応力が印加されるため、微細粒子が多数生成されます。(右下図)
サイクル試験ではある特定の領域に応力が繰り返し印加されるため特定部位の粒子が小さくなっていくため(左下図)、原因の特定が可能です。

 

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