ロックイン発熱解析装置「ELITE」を導入しました

 高感度赤外線カメラと独自のロックイン技術を用い、

半導体素子やパッケージ、実装基板、電子モジュール内で

発生する不良部位を非破壊で短時間に特定できます。

■概　要

発熱解析とは、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、半導体チップ内部の異常箇所を特定する手法です。
非常に微小な発熱状態を検知できることから、通常のプリント基板だけでなく、半導体の不具合解析にもその威力を発揮します。
特にショート箇所の調査においては、複雑な構造であっても短時間で場所の特定が出来るため、不具合解析の時間を劇的に短縮することができます。

■分析原理・特徴

〈分析原理〉

観察装置と電源を同期させて通電させることで、異常箇所だけの発熱を捉え続けます。 その為、「熱拡散によって発熱中心が分からなくなる」ことを防ぎ、微小なリーク・変化でも検出が可能です。

〈特徴〉

1)非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがありません。

2)半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能です。

3)従来のマニュアル検査に比較して不良特定率が向上します。

4)赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能です。

5)高感度カメラ・レンズの採用により、微細な発熱を検知できます。

■発熱解析事例

位相角度を変えて観察した結果を比較することで、異常箇所の深さ方向に関する情報が得られます。
右記の場合、パターンの異常箇所が基板表面に存在することが分かります。