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「高温加熱装置」試験片をその場で観察
近赤外線集光で、毎秒100℃の昇温が可能。均一に試料を最高1700℃まで高速加熱・高速冷却。
製品・技術

「平板型赤外線加熱装置」半導体のアニールなどの高速昇温が可能!

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赤外線加熱装置  /  化学・樹脂 電子・半導体 先端技術

広い面積でも均一に加熱「平板型赤外線加熱装置」

 

3インチ以上の面積の化合物半導体やシリコンウエハー等は均熱良く加熱する必要があります。

平板型赤外線加熱装置は、密閉チャンバーにより、雰囲気下で高速にかつ精度良く加熱することが可能です。

 

平板型赤外線加熱装置 ■平板型赤外線加熱装置の特徴

  • 大面積の試料に対応!(最大6インチ)
  • 温度分布調節機能付き温度制御器
  • 半導体のアニール等の高速昇温が可能
  • 従来の抵抗炉に対して高速冷却が可能
  • 鋼板の焼入れ等のシュミレーションが可能
  • 密閉チャンバーにより雰囲気調節が可能

 ■用途                   

  • LED用CVD装置
  • 半導体アニール装置
  • 鋼板用焼入れ装置
  • 各種素材の加熱冷却装置 など

 

 

 

■仕様

温度範囲: 100℃~1100℃(条件によりMAX1200℃)

昇温速度: 最大100℃/秒 ※試料等の条件によりますのでご相談ください

冷却速度: 最大50℃/秒(1000℃~500℃) ※試料等の条件によりますのでご相談ください

雰囲気: 大気不活性ガス真空中等 ※ご相談ください

 

ご要望の加熱面積、雰囲気に合わせてカスタマイズ致します。



米倉製作所では、高度化、多様化するユーザーのみなさまのニーズに、きめ細やかにお応えするとともに、新たな技術と製品の開発に努めます。

平板型赤外線加熱装置について、ご質問、ご要望等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。

 

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