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＠ｅｎｇｉｎｅｅｒ　企業プレスリリース 2008/03/25 最新の企業、製品、技術情報を入手しませんか？　メンバー登録（無料） 　 ２００８−３−２５ 株式会社　東芝 車載向け高性能Bluetoothチップセットの発売について − EDR規格*1と高度音声機能に対応 − 　当社は、カーオーディオやカーナビなどの車載向けに、高速化を実現するEDR規格に準拠し、Bluetooth通信と音声合成や音声認識などの高度な音声処理を同時に行える高性能Bluetooth　チップセットを製品化し、４月からサンプル出荷します。 　新製品は、音声処理用に最高動作周波数208MHzのARM9 CPUコア*２を２個搭載したBluetooth 　　ベースバンド LSI「TC35658IXBG」とRFCMOS製品で国内初のEDR規格準拠となるBluetooth RF IC「TC31299IXBG」の２つのチップで構成し、従来比*３で約２倍の音声処理能力とRFCMOSでは世界トップレベルの受信感度であるマイナス90dBmを実現しました。 　ベースバンド LSIは、通信コアと音声処理コアを混載し、Bluetooth通信と音声合成や音声認識の機能をアプリケーションごとに効率良く連動処理します。これにより、携帯電話から送信した音楽をカーオーディオで楽しみながら、携帯電話に声でダイヤルすることなどが可能になります。また、RF IC部では、バイアス電流合成方式*４による温度補償技術により、動作温度範囲全体にわたって世界トップレベルの受信感度を実現するとともに、送受信切替えスイッチなどをチップ上に混載することで、外部部品も削減できます。 ＊１　Enhanced Data Rateの略。従来のBR(Basic Rate)に比べ変調方式の拡張によりデータ転送速度が向上している。 ＊２　ARMは英国ARM 社の登録商標です。 ＊３　本日現在業界最高クラスの音声アプリ処理能力(208MHz)を持つ当社従来品「TC35657IXBG」との比較。 ＊４　RF ICの受信感度に影響を与える低雑音増幅回路の利得（入力に対する出力比）の温度依存性を抑制するため、バイアス電流を温度の２次関数になるように制御する技術。 商品化の背景と狙い 　従来、車載向けBluetoothのアプリケーションは、自動車運転中のハンズフリー通話が主流でしたが、近年では音声インターフェースと連動した快適なBluetoothハンズフリー環境のニーズが高まっています。 当社は、今回、高機能音声処理アプリケーションが実行可能なBluetoothチップセットを発売することで、市場の要求に応えるとともに、今後、車載向けをはじめとするさまざまなアプリケーションに対応したBluetoothチップの開発をすすめ、システムLSI事業の拡大を目指します。 新製品の概要 品　　番 サンプル価格 サンプル出荷 予定時期 量産開始 予定時期 量産予定数量 TC35658IXBG 4000円 4月 09年第1四半期 10万個／月 TC31299IXBG 2000円 4月 09年第1四半期 10万個／月 新製品の主な特長　 １．ベースバンド LSI「TC35658IXBG」 　（１）最高動作周波数208MHzのARM9 CPUコアを2個搭載し、従来比約2倍の高性能な音声処理能力を実現しました。 　（２）Bluetoothの各種Profileが動作する通信コアを搭載し、Bluetooth通信と音声機能をアプリケーションごとに高効率で連動処理が可能になりました。 ２．RF IC「TC31299IXBG」 　（１）EDR規格に準拠し、マイナス90dBmという世界トップレベルの受信感度をRFCMOSで実現しました。 　（２）送受信切替えスイッチ、入出力パワー整合回路、PLLループフィルタ回路、電源レギュレータをチップ上に混載し、少ない外付け部品で構成が可能になります。 新製品の主な仕様 品番 TC35658IXBG TC31299IXBG 品種 BaseBand LSI RF IC パッケージ 12mm x 12mm x 1.4mm 289 ﾎﾞｰﾙ BGA 5mm x 5mm x 1.4mm 52 ボール BGA 概要 カーオーディオ/カーナビ用 Bluetooth Baseband LSI カーオーディオ/カーナビ用 Bluetooth RF IC 機能／性能 Bluetooth 通信コア 音声アプリ処理コア(Dual ARM9:最高動作周波数 208MHz) 音声 IF 4ch (I2S/PCM切り替え) ホストIF 1ch (UART/SPI切り替え) 外部デバイス IF Flash ROM IF 1ch SDRAM IF 1ch EDR対応無線送受信部 受信感度　BR : -90dBm EDR(2 Mbps) : -92dBm EDR(3 Mbps) : -84dBm 動作温度範囲　 −40℃〜＋85℃ −40℃〜＋85℃ 動作電源電圧範囲 コア：1.5V、 I/O：3.3V 3.3V 以上 新製品についてのお客様からのお問合せ先： 　　セミコンダクター社 　システムＬＳＩ統括営業部　システムＬＳＩ営業推進第一部　　 　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０３−３４５７−３４１３ ページトップへ戻る ▲企業プレスリリース一覧へ プレスリリースの内容に関するご質問への回答は、＠engineerでは対応いたしかねます。 掲載各社に直接お問い合わせ頂きますようお願いいたします。 ■企業プレスリリース掲載ご希望の企業の方は、こちらから必要事項をご記入の上お問い合わせください。 ■「企業検索に登録［無料］」ご希望の企業の方は、こちらから必要事項を記入の上ご登録ください。 ここに掲載している全ての情報を無断転載することを禁じます。掲載情報の著作権は、＠engineer又は情報掲載者に帰属します。