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イベント

【セミナー 7/12】フォトレジストの材料設計

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セミナー情報  / 2019年06月11日 /  化学・樹脂 電子・半導体 先端技術
イベント名 フォトレジストの材料設計
開催期間 2019年07月12日(金)
10:00~17:00
会場名 [東京・五反田] 技術情報協会 セミナールーム
会場の住所 東京都品川区西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
地図 http://www.gijutu.co.jp/mailmap/company_map.htm
お申し込み期限日 2019年07月11日(木)15時
お申し込み

<セミナー No.907212>

 フォトレジストの材料設計

 

★ レジストの分子設計、開始剤の選択から今後の市場動向まで! !

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■講師

1.東京理科大学理工学部先端化学科 教授博士(工学) 有光晃二氏

2.(株)ADEKA 情報化学品開発研究所 光素材研究室 中屋敷哲千氏

3.関西大学化学生命工学部 教授 博士(工学) 工藤宏人氏

 

■聴講料

1名につき55,000円(消費税抜き、資料付き)

1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき50,000円(税抜)

大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

 

プログラム                                                                                  

10:00-12:00】

 1.フォトレジスト材料を中心とした感光性ポリマーの基礎と高感度化の手法

 東京理科大学理工学部先端化学科 教授博士(工学) 有光晃二氏

 

 【講座趣旨】

  光酸発生剤および光塩基発生剤を用いた感光性樹脂(レジスト、UV硬化)の基礎について述べる。さらに、様々な分子増幅を駆使した感光性ポリマーの高感度化・高解像度化、硬化不良対策について演者らの研究を中心に述べる。

 

 1.背景

  酸・塩基触媒を使用した光反応性材料 

 2.光酸発生剤

  2.1 光酸発生剤の構造と特性

  2.2 光反応性材料への応用

 3.酸増殖剤の特性と応用

  3.1 酸増殖剤の構造と特性

  3.2 UV硬化の高効率化・硬化不良対策

  3.3 化学増幅レジストの高感度化

 4.光塩基発生剤の特性と応用

  4.1 非イオン性光塩基発生剤の系

  4.2 イオン性光塩基発生剤系の系

 5.塩基増殖剤の特性と応用

  5.1 塩基増殖剤の構造と特性

  5.2 UV硬化の高効率化・硬化不良対策

  5.3 光パターニング材料への応用

 6.まとめ

【質疑応答】

 

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【12:45~14:45】

 2.光開始剤の種類、特徴とフォトレジストへの応用事例

(株)ADEKA 情報化学品開発研究所 光素材研究室 中屋敷哲千氏

 

【講座趣旨】

 フォトレジストはフォトリソグラフィーによるパターニングを行う際に利用されている材料である。光(UV)を用いて精細なパターンを形成できることから、現状ではあらゆる電子情報機器の製造プロセスの基盤技術となっている。このフォトレジストの性能を支配する材料が光開始剤であり、フォトレジストの利用範囲の拡大やパターン精細度の向上を支えるためにこの材料の技術も様々な工夫がなされ日々改良が進んでいる。本講演では光開始剤や添加剤を適切に用いることでフォトレジストの性能をいかに引き出せるか、実際の製品を例に取りながら紹介する。また、フォトレジスト以外の用途展開についても提案していく。

 

1.光開始剤について 

  1-1 光硬化技術について

 1-2 光開始剤の種類と特徴

2.光開始剤の設計と評価 

  2-1 光開始剤に求められる特性

  2-2 光開始剤の設計と合成

  2-3 光開始剤の評価

3.ディスプレイ向けフォトレジスト用光開始剤 

  3-1 概要

  3-2 フォトレジストの感度と光開始剤

  3-3 フォトレジストのパターニング特性と光開始剤

4.UV-LED用光開始剤 

  4-1 各UV-LEDに対応した光開始剤

  4-2 UV-LEDの硬化性評価

5.フォトレジスト用添加剤 

  5-1 光硬化に適した酸化防止剤について

 5-2 光硬化に適したUV吸収剤について

6.まとめ

【質疑応答】

 

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【15:00-17:00】

 3.EUVレジスト材料の超高感度、超高解像度に向けた分子設計

 関西大学化学生命工学部 教授 博士(工学) 工藤宏人氏

 

【講座趣旨】

 極端紫外線(EUV)レジスト材料は、EUVフォトレジストシステムを実用化するためには必要不可欠な研究課題である。しかしながら、未だに分子設計指針を模索中である。その中で、高解像性レジスト材料を達成させるために試行錯誤してきた方法、および今後の可能性についてまとめた。

 

 1.EUVレジストの課題

  1.1 化学増幅型レジストシステムを応用したEUVレジストシステム

 1.2 解像度、ラフネス、感度の関係

 2.レジストの分子サイズとレジストパタンの関係

 3.分子レジスト材料の例

  3.1 カリックスアレーンタイプ

 3.2 フェノール樹脂タイプ

 3.3 特殊骨格タイプ

 3.4 光酸発生剤(PAG)含有タイプ

 3.5 金属含有ナノパーテイクルを用いた高感度化レジスト材料の開発

 4.主鎖分解型ハイパーブランチポリアセター

【質疑応答】

 

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