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自動車 電子・半導体 試験・分析・測定■TDDB試験の概要 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊（TDDB: Time Dependent Dielectric Breakdown）といい、半導体の寿命や信頼性を考え…
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解析技術：静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜
自動車 電子・半導体 試験・分析・測定近年SiCやGaNといった次世代パワー半導体の開発・実用化が進み、故障解析技術に対する要求が高まっています。今回はSiC-MOSFETを例として、IEC61000-4-2に倣って静電気破壊試験を行った破壊品の解析事例をご紹介しま… -
電子・半導体 試験・分析・測定超音波顕微鏡では、2次元像（C-Scan）が標準的であるが、より視覚的・立体的に状態を捉えるために3次元化を目指しています。 ■時間軸解析（C-Scan）超音波顕微鏡では、主にA-Scanデータを基にして、外観上では確認…
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従来のGaタイプのFIBと比べて大電流値での加工が可能になったため、数十μmの通常加工はもちろん500μmの大面積加工が可能です。 ■SiCを用いたGa-FIBとプラズマFIBの加工速度比較 Ga-FIBは5時間以上加工してもSiCの断…
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