プラズマFIB-SEMの加工　〜分析性能と実例〜

従来のGaタイプのFIBと比べて大電流値での加工が可能になったため、
数十μmの通常加工はもちろん500μmの大面積加工が可能です。

■SiCを用いたGa-FIBとプラズマFIBの加工速度比較

Ga-FIBは5時間以上加工してもSiCの断面が観察できないが、
プラズマFIBは、1時間以内でSiCの断面加工が可能

■パワーデバイス モジュールの裏面開封品　観察および分析

パワーデバイス モジュールの裏面開封品でも、ソース・ゲートがある構造物まで加工・観察・分析が可能!! 

一般的に、パワーデバイスの不良は、ソース・ゲート部分など、深さ80～100μmの領域に出やすい。

従来のGa-FIBでは、加工深を50μmが限界。

プラズマFIBなら、100μm以上でも加工可能。

50μm以上の深い箇所のEDS分析が可能に※。
※分析箇所が深すぎると、

　特性X線が検出器まで返ってこない為

■プラズマFIB-SEM設備情報

本体メーカー：日本FEI（株）
型式：Helios G4 PFIB
EDS：Thermo Fisher Scientific

【加工電流値比較】
Ga-FIB：最大電流値／60nA
プラズマFIB：最大電流値／2.5μA（Ga-FIBの約42倍）