解析技術：静電気破壊　〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜

近年SiCやGaNといった次世代パワー半導体の開発・実用化が進み、故障解析技術に対する要求が高まっています。今回はSiC-MOSFETを例として、IEC61000-4-2に倣って静電気破壊試験を行った破壊品の解析事例をご紹介します。

■故障解析手順

■Step 1：SiCチップの故障箇所特定（X線観察・超音波顕微鏡・LIT）

●破壊したサンプルの外観観察、

及び非破壊検査acにおいては異常は

確認されませんでした。このことか

ら、故障規模が微小であることが推

察されます。

●レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで微小な故障箇所を絞り込みました。

■Step 2：故障箇所の詳細解析（プラズマFIB・FE-SEM/EDS）

アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、

最新のプラズマFIB装置を用いてSiCチップの断面図を解析した結果、

故障したセルのトレンチゲート左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。