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発熱解析

　　半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出する事で、

　不良箇所を絞り込みます。

解析方法

　　端子間に電圧印加し、ショート,リーク個所での微弱な発熱を検出する事で、不良個所の特定を行います。さらにロックイン発熱解析装置では、ロックインパルスにて電圧を印加する事で発熱の拡散を防ぐことによる検出感度の向上および、発熱反応の周期から発熱箇所の深さを推定する事が出来ます。

解析事例

パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価

　ダイオード、MOSFET、IGBTなどの各種パワーデバイス、及びパワーモジュールの

　DC特性 （静特性）、AC特性（動特性）検査・評価サービスを提供します。

  　　 ・高電圧、大電流の評価環境に対応。

   　　・測定温度-60～250℃までの評価環境に対応。

　　　・パワーデバイス評価ノウハウを持ったエンジニアが対応

検査・評価

検査/評価装置