半導体パワーサイクル試験

国内最大規模の試験キャパを保有しており、一度に大量の試験が実現可能となります。

代表的試験2種類をご紹介致します。

ロングパワーサイクル試験(断続通電試験)

 ＊試験サンプルの大きさ、形状によっては制限を受けます。

ショートパワーサイクル試験

 ＊試験サンプルの大きさ、形状によっては制限を受けます。

動作原理

　ゲート電圧(VG）印加するとドレイン電流(ID)が流れ、IDが流れるとパワ－チップの　温度が急上昇（Tj）します。また、同時にパッケージ方向に放熱（Tc）されたことになります。この原理を利用して、パワーサイクル試験を実施します。

・主にパワーデバイスのON/OFF動作を繰返し、パッケージ温度を上げ下げします

・チップ下のはんだ接合部等における、材料間で線膨張係数の違いによる劣化を

　確認する評価です。

・最大600Aまで対応可能(水冷制御)

・主にスイッチングデバイスにおいて、msecオーダーの早いON/OFF動作を繰返し、　

　パッケージ温度(Tc)をほぼ安定させて、チップ温度を上げ下げします。

・チップ上のワイボンド接合における、材料間の線膨張係数の差による劣化を確認する

　評価です。

・最大400Aまで対応可能。

ディスクリート・パワーデバイスについて

 ■特長

　  サンプル基板にディスクリート品を表面実装して、その基板を通電用基板の

　  ソケットに差し、断続通電を行います。

 ■事例

     Id:５A以内/個、ON時間2分/OFF時間2分、⊿Tj100℃、時間：15000cyc、

     数量:77個×3ロット～5ロット(500～600個まで対応可能)

パワーモジュールについて

■特長

   モジュール製品は特殊パッケージサイズ/端子形状であるが、設置治具、

   配線類は内製化しAEC-Q0101対応の実績あり。。

■事例

   Id：～400A/個、ON時間2分/OFF時間2分、⊿Tj100～125℃、

   時間:15000cyc、数量:77個対応、全サンプルのVDS/VGS/TC常時モニター可能。