製造業関連情報総合ポータルサイト@engineer
WEB営業力強化支援サービスのご案内
ルネサスエンジニアリングサービス株式会社
製品・技術

半導体ナノプローバ解析

  • このエントリーをはてなブックマークに追加
  • @engineer記事クリップに登録
半導体ナノプローバ解析 ナノプローブ ナノ・プローバ  / 2022年07月07日 /  電子・半導体 試験・分析・測定 先端技術

半導体ナノプローバ解析

ナノプローバ装置にて、解析サポート技術で研磨処理した試料のタングステンプラグに針当てを行い、発光解析等で同定した不良トランジスタの特性を直接測定致します。

解析方法・解析結果

解析方法

 微小デバイス特性評価装置“ナノプローバ” にて、冷陰極電界放出形電子銃を搭載したFE-SEM(走査電子顕微鏡)内に、微細なタングステン製のプローブ(探針)6本を配置したプロービング(針当て)装置で、FE-SEMによる、リアルタイム像観察しながらのプロービングが可能な装置です。
 FE-SEM内に配置された6本のプローブは、独立制御され、トランジスタを構成する「ソース」「ドレイン」「ゲート」「基板」等とつながったコンタクトにそれぞれ当てることで、半導体デバイス等の特性を測定したり、搭載オプションに応じた解析を行うことができます。

ナノプローバ内部構造イメージ図

装置外観

ナノプローバ針当て事例/解析結果