半導体要素信頼性評価(EM評価/TDDB評価/WLR評価)
半導体要素信頼性評価
半導体製品の品質は製造プロセスの品質に依存します。
製造プロセスの開発や変更、異常発生の際には信頼性への影響を確認するために、ウエハ・素子レベルといった要素で品質確認が必要となります。
評価試験の種類
EM評価、TDDB評価、N(P)BTI評価、HCI評価の実施により、
半導体デバイスの要素について評価を致します。
代表的試験3種類をご紹介致します。
EM評価 (Electromigration)
目的 |
半導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象 |
試験条件例 | (50℃)60℃~250℃ |
参考規格例 | EIA/JESD33-B、EIA/JESD63 JESD87 |
対応範囲 |
■対応可能ストレス電流 |
TDDB評価(Time Dependent Dielectric Breakdown)
目的 |
酸化膜(絶縁膜)の経時破壊現象 |
試験条件例 | 50℃~250℃ |
参考規格例 | JESD35-A、EIAJ-988 |
対応範囲 |
■対応可能ストレス電圧 |
WLR評価(Wafer Level Reliability)
試験条件例 | -40℃~150℃ |
参考規格例 | - |
対応範囲 |
マニピュレーター方式:(タングステン、針先φ10um x 4本) |
■ウエハ断面略図 ■セラミックパッケージ
EM評価仕様/評価結果
TDDB評価仕様/評価結果
WLR評価仕様/評価結果
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