TEM/STEM解析

TEMは数十kV～数百kVに加速した電子線を試料に照射し、透過電子を磁界レンズで拡大することにより観察します。
T形態、結晶構造、電子状態などが得られ、分解能は0.1nm～0.2nmです。
T電子線が透過するように試料を薄片化する必要があり、主にFIBを用いて0.1～0.2μm程度に薄片化を行います。
STEMは細く絞った電子ビームで試料を走査し、各種電子を検出して結像します。
二次電子像（SE）、透過電子像（TE）、散乱電子像（ZC）の観察が可能です。
EDSによる点分析、線分析、元素マッピング（元素（B～U）)の定性分析が可能です。
EELSによる点分析、元素マッピング（元素（Li～）)、及び化学結合状態の測定が可能です。
※EDS、EELSの検出下限は％オーダーです。 　

WLR評価仕様/評価結果