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  • 半導体静電破壊試験(ESD試験)

    静電破壊試験(ESD試験) HBM法 MM法 CDM法  / 2023年02月07日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    半導体静電破壊試験(ESD試験)

    半導体や電子部品が静電気による電気ストレスを受けた場合の破壊耐量を
    評価します。

    試験方法

    試験方法

     静電気の発生モデルにより、以下の3種類の方法があります。

     

    人体モデル(HBM法:Human Body Model)

    目的 

    デバイスに対して人体から静電気が放電された場合を模擬した試験

    試験条件例    C=100pF、R=1.5KΩ、1回印加(C:コンデンサ容量、R:抵抗)
    参考規格例 EIAJ、JEDEC
    対応範囲

    PIN数:1~512pin、電圧:±10~±8000V

     

    マシンモデル(MM法:Machine Model)

    目的 

    デバイスに対して機械から静電気が放電された場合を模擬した試験

    試験条件例    C=200pF、R=0Ω、1回印加(C:コンデンサ容量、R:抵抗)
    参考規格例 JEITA、JEDEC
    対応範囲

    PIN数:1~512pin、電圧:±10~±4000V

     

    デバイス帯電モデル(CDM法:Charged Device Model)

    目的 

    デバイス自身が帯電して静電気が放電された場合を模擬した試験

    試験条件例    1回印加
    参考規格例 JEITA、JEDEC
    対応範囲

    PIN数:1~1024pin、電圧:±10~±4000V

    装置外観

               MM/HBM法 試験機             専用基板(製作可能)

     

     CDM法 試験機

  • 塩水噴霧試験

    塩水噴霧試験 メッキの耐性 塗膜の耐性  / 2023年02月02日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    塩水噴霧試験

    半導体や電子デバイスを塩霧で使用/保存した場合の外装メッキや塗膜の耐性を評価します。

    方法

     

    試験条件例    温度:35℃、濃度:5%、時間:48h
    参考規格例 ED-4701/200 試験方法204
    対応範囲

    温度:35℃、湿度:20~98%まで可能

     

     塩水噴霧槽

     

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