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X線解析

　ボンディングワイヤの断線及びループ異常，インナーリードの変形等部の非破壊観察

　により内部構造の観察します。

解析方法・解析事例

　X線は材質・厚みにより透過度が異なるため（原子量が小さいと透過率が高い）

　透過X 線の強度の差が像として得られます。

電気特性（カーブトレーサ）

　ICの電気的な特性の確認、V-Iカーブの取得を行う事ができます。

解析方法・解析事例

　ICのDC 特性を調査する為、電圧を印加して、そのときに流れる電流を測定し、

   V-Iカーブ（電圧対電流カーブ）を取得します。
   半導体デバイスでは、等価回路どおりに電流が流れるとは限らないため、

   良品との特性を比較しながら評価をする方法もあります。

元素分析

　汚染評価などを目的として、電子材料などの試料表面や含有する金属成分の

　濃度を測定します。

解析方法・解析事例

　ICP発光分析(ICP-OES)、原子吸光装置などにより微量な金属元素を定量分析します。

　

　

無機主成分分析(非破壊)

　異物や材料の主成分(元素)を特定します。

解析方法・解析事例

　　試料を採取し、前処理した後、試料への連続X線照射で発生した蛍光X線を

　　測定することで、元素を特定します。

回路修正

　数nm程度に集束したイオンビームを試料に照射・走査することにより、

　数百μｍ～サブミクロンオーダーの加工をご提供できます。

　対象材料に適した各種エッチングガスやメタル／絶縁膜デポジションを用いて、

　お客様のご要望に沿った回路修正やPAD作製が可能です。

解析方法

　　・数十kVで加速され放銃されたイオンビームをコンデンサレンズで集束、

　　　偏向電極によりビーム走査をおこない試料に照射します。

　　・スパッタリングより試料から励起された2次電子を検出・信号化することにより

　　　画像取得を行います。

　　・イオンビーム照射と共に各種ガスを導入・反応させることにより、

　　　高精度かつ選択的なエッチング／デポジションを行います。

　　・CADデータをご提供頂く事により、多層LSI配線下層部に対する高精度な

　　　加工アプローチが可能です。

解析事例

SAT

   試料内部の情報（クラック，空隙などの有無とロケーション）を超音波の反射波を

   用い非破壊で観察します。

解析方法

   音響レンズを備えた超音波センサに繰り返しパルス電圧を印加し、

   発生させた超音波を音響レンズより観察したい試料観察面に照射します。
   超音波が試料表面や内部欠陥で反射した後、再びセンサに戻ります。

   反射波（エコー）の強度を測定し、特定位置に対応する画像上の明るさを

   反射強度に応じ表示された画像から、試料内部の微小な亀裂や

   剥離（隙間）を検出いたします。

解析事例