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その他試験（気密性/ガス腐食/耐溶剤性/加湿＋実装/PIND）

　半導体デバイス及び電子デバイスの気密性試験/ガス腐食試験/耐溶剤性試験/

　加湿＋実装試験/PIND試験をご紹介します

試験方法

(1)気密性試験

(2)ガス腐食試験

(3)耐溶剤性試験

(4)加湿＋実装ストレスシリーズ試験

(5)PIND(Particle Impact Noise Detection)試験

評価装置(※一例)

パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価

　ダイオード、MOSFET、IGBTなどの各種パワーデバイス、及び

　パワーモジュールのDC特性 （静特性）、AC特性（動特性）検査・評価

　サービスを提供します。

試験方法

　・高電圧、大電流の評価環境に対応。
　・測定温度-60～250℃までの評価環境に対応。
　・パワーデバイス評価ノウハウを持ったエンジニアが対応

検査・評価装置(※一例)

はんだ接合部の実装評価試験

　半導体デバイス及び電子デバイスが基板に実装された状態でのはんだ接合部の

　耐性を評価します。

試験方法

　温度サイクル試験により評価します。

研磨

　PEM/OBIRCH解析等シリコン基板裏面から解析を行うための裏面研磨及び

　物理解析前処理のための表面研磨を行います。

試験方法

　(1)裏面研磨
　　IC裏面研磨装置を使用し、パッケージ裏面のレジンから、Cu、シリコン基板を
　　削り取り、最終的にシリコン基板裏面を鏡面研磨してPEM/OBIRCH解析等、
　　裏面からの観察・解析が可能な状態に加工致します。

　(2)除膜研磨
　　研磨装置（ディンプルグラインダ）を使用し、ICチップ表面の目的箇所を中心に
　　同心円状に研磨します。約Φ10～100um範囲の観察を可能です。
　　(配線プロセス・チップ加工箇所により、誤差が生じます)

裏面研磨の流れ・除幕加工事例

　(1)裏面研磨

　(2)除膜研磨

AES

　オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy）は試料に電子線を照射し、

   試料表面数原子層から放出されるオージェ電子のエネルギーを測定し元素の

   定性・定量を行います。

試験方法

　AESは、①試料表面の元素を調査するだけではなく、検出された元素の

   ②マッピング分析、スパッタイオンガンを併用した元素の

   ③深さ方向分析、④FIB加工を併用した特定箇所の断面分析などの評価が可能です。

   検出可能元素は原子番号3（Li）以上の元素の定性分析が可能です。

   特に、軽元素（Li～）や遷移元素に高感度です。

分析事例

EELS

　電子エネルギー損失分光法（Electron Energy Loss Spectroscopy）は薄片化した

   試料に電子線を照射し、試料と電子線の相互作用により損失した電子のエネルギーを

   測定することで元素及び結合状態を特定します。

試験方法・原理

　 EELSの特徴は結合状態に依存して損失した電子のエネルギーピーク形状が

    変化するため化学結合状態を特定できることです。
   （空間分解能：～1nm、検出下限：数% ）

分析事例