研磨

研磨

　PEM/OBIRCH解析等シリコン基板裏面から解析を行うための裏面研磨及び

　物理解析前処理のための表面研磨を行います。

試験方法

　(1)裏面研磨
　　IC裏面研磨装置を使用し、パッケージ裏面のレジンから、Cu、シリコン基板を
　　削り取り、最終的にシリコン基板裏面を鏡面研磨してPEM/OBIRCH解析等、
　　裏面からの観察・解析が可能な状態に加工致します。

　(2)除膜研磨
　　研磨装置（ディンプルグラインダ）を使用し、ICチップ表面の目的箇所を中心に
　　同心円状に研磨します。約Φ10～100um範囲の観察を可能です。
　　(配線プロセス・チップ加工箇所により、誤差が生じます)

裏面研磨の流れ・除幕加工事例

　(1)裏面研磨

　(2)除膜研磨