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ルネサスエンジニアリングサービス株式会社

製品・技術

  • 塩水噴霧試験

    塩水噴霧試験 メッキの耐性 塗膜の耐性  / 2023年02月02日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    塩水噴霧試験

    半導体や電子デバイスを塩霧で使用/保存した場合の外装メッキや塗膜の耐性を評価します。

    方法

     

    試験条件例    温度:35℃、濃度:5%、時間:48h
    参考規格例 ED-4701/200 試験方法204
    対応範囲

    温度:35℃、湿度:20~98%まで可能

     

     塩水噴霧槽

     

  • 定加速度試験

    定加速度試験 遠心定加速度試験機  / 2023年01月16日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    定加速度試験

    半導体デバイス及び電子デバイスが、移動体、特に飛行体の、回転体または発射体で生じる定常的な加速度の耐性を評価します。

    方法

     

    半導体デバイス及び電子デバイスが、移動体、特に飛行体の、回転体または発射体で生じる定常的な加速度の耐性を評価します。

     

     PCT・HAST槽
    試験条件例    加速度:20000G 方向X/Y/Z、各方向:1min
    参考規格例 IEC 60068-2-7
    JIS C60068-2-7
    ED-4701/400 試験方法405
    対応範囲

    500~30000G サンプル専用冶具が必要

     

     遠心定加速度試験機 (型番:CA-833N Ⅱ)

     

  • 飽和蒸気加圧試験/不飽和蒸気加圧試験(プレッシャークッカーテスト)

    飽和蒸気加圧試験 不飽和蒸気加圧試験 プレッシャークッカーテスト  / 2023年01月11日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    飽和蒸気加圧試験/不飽和蒸気加圧試験

    半導体デバイス及び電子デバイスが長時間、高温高湿下に曝された場合の     耐性を加速評価します。

    方法

     

    プレッシャークッカー槽と呼ばれる試験槽を使用して、規定の温度/湿度下で    規定の時間投入します。

     

     PCT・HAST槽
    試験条件例    温度:130℃85%、時間:100h、中間取出し時間:25h/50h
    参考規格例 JESD22-A102D
    対応範囲

    温度:105~143℃、湿度:75~100%、

    圧力:0.02~0.2MPaまで可能

     常設温度(2020年11月現在) 

    ・121℃/100%
    ・130℃/85%

    *試験サンプルの大きさ、形状によっては制限を受けます。
    { 装置内容積:355W×355H×426D mm }

     装置外観(PCT・HAST槽)

     

     

  • 通電試験

    通電試験 高温連続通電試験  / 2023年01月10日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    通電試験

    半導体デバイス及び電子デバイスが長時間、電気的及び熱的ストレスを受けた場合の耐性を評価します。

    高温連続通電試験

     

     

    *試験サンプルの大きさ、形状によって制限を受けます。
    目的 

    長時間、高温下での動作状態に対する耐性を評価します。

    試験条件例    電圧/電流:規定の動作条件、Ta:125℃(Tj=175℃)
    参考規格例 JEITA
    対応範囲

    個別半導体、モジュール、レギュレータIC、その他IC

     装置外観

         高温連続通電試験             通電基板(REG内製)

     

     

  • 発熱解析

    発熱解析  / 2022年11月22日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

     

    発熱解析

     

      半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出する事で、

     不良箇所を絞り込みます。

     

    解析方法

     

      端子間に電圧印加し、ショート,リーク個所での微弱な発熱を検出する事で、不良個所の特定を行います。さらにロックイン発熱解析装置では、ロックインパルスにて電圧を印加する事で発熱の拡散を防ぐことによる検出感度の向上および、発熱反応の周期から発熱箇所の深さを推定する事が出来ます。

     

     

    解析事例

     

  • パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価

    パワーデバイス パワーモジュール 電気的特性  / 2022年11月18日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価

     

     ダイオード、MOSFET、IGBTなどの各種パワーデバイス、及びパワーモジュールの

     DC特性 (静特性)、AC特性(動特性)検査・評価サービスを提供します。

         ・高電圧、大電流の評価環境に対応。

         ・測定温度-60~250℃までの評価環境に対応。

       ・パワーデバイス評価ノウハウを持ったエンジニアが対応

     

    検査・評価

     

     

    検査/評価装置