製品・技術
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元素分析
汚染評価などを目的として、電子材料などの試料表面や含有する金属成分の
濃度を測定します。
解析方法・解析事例
ICP発光分析(ICP-OES)、原子吸光装置などにより微量な金属元素を定量分析します。
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無機主成分分析(非破壊)
異物や材料の主成分(元素)を特定します。
解析方法・解析事例
試料を採取し、前処理した後、試料への連続X線照射で発生した蛍光X線を
測定することで、元素を特定します。
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回路修正
数nm程度に集束したイオンビームを試料に照射・走査することにより、
数百μｍ～サブミクロンオーダーの加工をご提供できます。
対象材料に適した各種エッチングガスやメタル／絶縁膜デポジションを用いて、
お客様のご要望に沿った回路修正やPAD作製が可能です。
解析方法
・数十kVで加速され放銃されたイオンビームをコンデンサレンズで集束、
偏向電極によりビーム走査をおこない試料に照射します。
・スパッタリングより試料から励起された2次電子を検出・信号化することにより
画像取得を行います。
・イオンビーム照射と共に各種ガスを導入・反応させることにより、
高精度かつ選択的なエッチング／デポジションを行います。
・CADデータをご提供頂く事により、多層LSI配線下層部に対する高精度な
加工アプローチが可能です。
解析事例
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SAT
試料内部の情報（クラック，空隙などの有無とロケーション）を超音波の反射波を
用い非破壊で観察します。
解析方法
音響レンズを備えた超音波センサに繰り返しパルス電圧を印加し、
発生させた超音波を音響レンズより観察したい試料観察面に照射します。
超音波が試料表面や内部欠陥で反射した後、再びセンサに戻ります。反射波（エコー）の強度を測定し、特定位置に対応する画像上の明るさを
反射強度に応じ表示された画像から、試料内部の微小な亀裂や
剥離（隙間）を検出いたします。
解析事例
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IC開封
ICの不良解析をする場合にはパッケージの樹脂を取り除いチップ・ワイヤーが観察
できる状態にする必要があります。薬液と開封装置を使用し、目的に合わせ
最適条件にて、チップ・ワイヤーへのダメージを最小限にした樹脂開封を
行なう事ができます。解析動作可能な状態でチップの部分のみの開封も行います。
原理・解析方法
パッケージの樹脂を取り除くIC開封では、エポキシ系のレジンは硝酸等の薬液
を使用して除去を行います。近年増えているCuワイヤを使用したパッケージの
場合は、薬液でワイヤへのダメージは入りやすい事から、レーザー開封装置を
使用し、ワイヤへのダメージが少ない最適条件で開封を行います。
解析事例
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SEM観察
走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope）は試料に電子線を照射し、
放出される二次電子及び反射電子を検出し結像させる装置です。
主に試料表面の凹凸や組成に起因した像及び電位コントラスト像を観察できます。
原理・解析方法
SEM観察では下記の情報が主に得られます。
(1)2次電子像
試料に電子が入射したときに、試料を構成する原子の価電子が放出されたものが
二次電子です。エネルギーが極めて小さい為試料の極表面で生成された物だけが
検出され、主に50eV以下のエネルギーを持つのに対して分別します。
用途:凹凸形状・電位コントラスト像(2)反射電子像
入射電子が試料中で散乱していく過程で後方に散乱し、試料表面から再び放出
されたものを言い、2電子に比べて高いエネルギーを持っています。
用途:組成像・チャネリングコントラスト像(3)元素分析(EDS成分分析)
物質に電子が入射すると様々な電子の他に元素特有のエネルギーを持つX線が
放出され、特性X線と呼ばれます。この特性X線を
EDS(エネルギー分散型X線分光器)を用いて、横軸にX線のエネルギー縦軸にX線のカウント数を調べ元素の定性・定量・分布マップを得ることが出来ます。
SEM観察原理
解析事例
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