「製品・技術」一覧 - ルネサスエンジニアリングサービス株式会社

その他試験（気密性/ガス腐食/耐溶剤性/加湿＋実装/PIND）

気密性試験ガス腐食耐溶剤性加湿＋実装ストレスシリーズ PIND Particle Impact Noise Detection / 2023年06月19日 / 電子・半導体試験・分析・測定先端技術

その他試験（気密性/ガス腐食/耐溶剤性/加湿＋実装/PIND）

　半導体デバイス及び電子デバイスの気密性試験/ガス腐食試験/耐溶剤性試験/

　加湿＋実装試験/PIND試験をご紹介します

試験方法

(1)気密性試験

(2)ガス腐食試験

(3)耐溶剤性試験

(4)加湿＋実装ストレスシリーズ試験

(5)PIND(Particle Impact Noise Detection)試験

評価装置(※一例)

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パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査評価

パワーデバイスパワーモジュール電気的特性ダイオード MOSFET IGBT パワーモジュール DC特性静特性 AC特性動特性 / 2023年06月15日 / 電子・半導体試験・分析・測定先端技術

パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査評価

　ダイオード、MOSFET、IGBTなどの各種パワーデバイス、及び

　パワーモジュールのDC特性（静特性）、AC特性（動特性）検査・評価

　サービスを提供します。

試験方法

　・高電圧、大電流の評価環境に対応。
　・測定温度-60～250℃までの評価環境に対応。
　・パワーデバイス評価ノウハウを持ったエンジニアが対応

検査・評価装置(※一例)

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はんだ接合部の実装評価試験

はんだはんだ接合部温度サイクル試験 / 2023年06月14日 / 電子・半導体試験・分析・測定先端技術

はんだ接合部の実装評価試験

　半導体デバイス及び電子デバイスが基板に実装された状態でのはんだ接合部の

　耐性を評価します。

試験方法

　温度サイクル試験により評価します。

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はんだ接合部の実装評価試験

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研磨

研磨裏面研磨除膜研磨 / 2023年06月12日 / 電子・半導体試験・分析・測定先端技術

研磨

　PEM/OBIRCH解析等シリコン基板裏面から解析を行うための裏面研磨及び

　物理解析前処理のための表面研磨を行います。

試験方法

　(1)裏面研磨
　　IC裏面研磨装置を使用し、パッケージ裏面のレジンから、Cu、シリコン基板を
　　削り取り、最終的にシリコン基板裏面を鏡面研磨してPEM/OBIRCH解析等、
　　裏面からの観察・解析が可能な状態に加工致します。

　(2)除膜研磨
　　研磨装置（ディンプルグラインダ）を使用し、ICチップ表面の目的箇所を中心に
　　同心円状に研磨します。約Φ10～100um範囲の観察を可能です。
　　(配線プロセス・チップ加工箇所により、誤差が生じます)

裏面研磨の流れ・除幕加工事例

　(1)裏面研磨

　(2)除膜研磨

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研磨

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解析受託サービス

解析受託サービス / 2023年06月12日 / 電子・半導体試験・分析・測定先端技術

信頼性評価の不良、市場からの返却品など半導体の不具合箇所

の特定、原因の究明に対して、お客様のご要望に迅速に

対応致します。

サービス総合カタログ

解析受託サービス

非破壊解析（一次解析）

超音波顕微鏡、透過X線観察装置、カーブトレーサー等を使用しパッケージを開封せずに、非破壊（パッケージの状態）で試料内部構造の確認や電気特性についての不具合調査を行います。

サービス内容	特長
SAT	SAT(Scanning Acoustic Tomography)は超音波によるIC内部の非破壊検査でレジン内の割れや剥離が観察できます。
X線解析	Ｘ線解析は透過X線観察装置によるIC内部の非破壊観察により内部構造の観察ができます。
電気特性（カーブトレーサ）	非破壊（パッケージの状態）でICの電気的な特性の確認、V-Iカーブの取得を行う事ができます。

破壊解析

パッケージを開封し、動作可能な状態での物理解析（位置特定、要因特定）を行います。開封を行わず、非破壊解析で確認された異常個所について、断面研磨、CP解析により直接異常個所の観察や解析をいたします。

サービス内容	特長
IC開封	ICの不良解析をする場合にはパッケージの樹脂を取り除いチップ・ワイヤーが観察できる状態にする必要があります。薬液と開封装置を使用し、目的に合わせ最適条件にて、チップ・ワイヤーへのダメージを最小限にした樹脂開封を行なう事ができます。解析動作可能な状態でチップの部分のみの開封も行います。
断面研磨	構造調査の為、非破壊解析ので異常個所をピンポイントに断面研磨を行い、観察することが出来ます。
CP解析	CP(CrosssectionPolisher）解析は、Arイオンビームにより試料への加工ダメージが少なく、FIB加工より広範囲な綺麗な断面作成を行います。
FIB断面解析	FIB(Focused Ion Beam)断面解析は、Gaイオンビームによるスパッタリング加工により、SEM・STEM・TEM観察用の試料作成を行います。

解析サポート

FIB加工による半導体デバイスの回路修正や電気特性測定用パッド作製及び位置特定解析の為の裏面研磨やチップ表面各層研磨を行っています。

サービス内容	特長
回路修正	FIB(Focused Ion Beam)装置にて、数nmまで細く絞ったイオンビームで試料表面を走査することにより、サブミクロンのスパッタリング加工、デポジション加工を行います。
研磨	PEM/OBIRCH解析等シリコン基板裏面から解析を行うための裏面研磨及び物理解析前処理のための表面研磨を行います。

故障位置特定

デバイスの不良位置特定手法として、静的状態（非動作）の発光解析、IR-OBIRCH解析、発熱解析、半破壊状態のEBAC解析、ナノプローバ解析、動的状態（動作)のEOP/EOFM解析、SDL/LADA解析があります。

サービス内容	特長
発光解析	発光解析（Photo Emission Microscope ）は半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発光を検出することで、不良箇所を絞り込みます。
IR-OBIRCH解析	OBIRCH解析(Optical Beam Induced Resistance Change)は半導体デバイス動作にともない、赤外レーザー照射による抵抗変化位置を検出することで、不良箇所を絞り込みます。
発熱解析	発熱解析は半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出することで、不良箇所を絞り込みます。
EBAC解析	EBAC解析（Electron Beam Absorbed Current）はデバイスに照射電子が配線に吸収された電流をプローブで検出し、ビアや配線の高抵抗/オープン不良位置やショートしている箇所を絞り込みます。
ナノプローバ解析	ナノプローバ装置にて、解析サポート技術で研磨処理した試料のタングステンプラグに針当てを行い、発光解析等で同定した不良トランジスタの特性を直接測定致します。
EOP/EOFM解析	EOP(Electro Optical Probing)とEOFM(Electro Optical Frequency Mapping)は半導体デバイス内部の動作解析を行う手法です。
SDL/LADA解析	SDL(Soft Defect Localization)とLADA(Laser Assisted Device Alteration)は、レーザ照射を用いて、半導体デバイスのマージン性不良位置を検出します。

物理解析

電子顕微鏡を用い半導体デバイスの形状観察、元素分析を実施し、故障要因の特定を行います。

サービス内容	特長
SEM観察	走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope）は試料に電子線を照射し、放出される二次電子及び反射電子を検出し結像させる装置です。主に試料表面の凹凸や組成に起因した像及び電位コントラスト像を観察できます。
TEM/STEM解析	透過形電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope）/走査透過形電子顕微鏡（Scanning Transmission Electron Microscope）は薄片化した試料に電子線を照射し、透過した電子線を結像させる装置です。主に形状、結晶性、組成に起因した像を観察できます。
EDS	エネルギー分散型X線分光法（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）は試料に電子線を照射し発生した特性X線のエネルギを検出器で測定することにより元素の定性・定量を行います。
EELS	電子エネルギー損失分光法（Electron Energy Loss Spectroscopy）は薄片化した試料に電子線を照射し、試料と電子線の相互作用により損失した電子のエネルギーを測定することで元素及び結合状態を特定します。
AES	オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy）は試料に電子線を照射し、試料表面数原子層から放出されるオージェ電子のエネルギーを測定し元素の定性・定量を行います。

化学分析

化学分析ではマクロな視点で、微量成分の濃度を正確に把握します。(測定濃度：10pg/mL(= 0.000000001%)～)高純度の試薬や超純水、清浄度の高いフッ素樹脂製の器具を使用し、極微量な成分の測定を行います。

サービス内容	特長
元素分析	主に電子材料の微量金属成分をICP質量分析（ICP-MS）、ICP発光分析(ICP-OES)を用い定量します。
イオン成分分析	主に電子材料や製造工程内の雰囲気のイオン成分を、イオンクロマトグラフを用い定量します。
有機物分析	異物や材料の有機成分を顕微FT-IR を用いて、推定します。
無機主成分分析(非破壊)	梱包材や材料に含まれる成分をエネルギー分散型蛍光X線分析装置により定性・定量します。