「リーク」一覧

発光解析

　　半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発光を検出することで、ICチップ

　　内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込を行います。

　　最新の浜松ホトニクス製　PHEMOS-X解析装置を導入いたしました。

　　詳しくはお問合せ下さい。

解析方法

　電源ーグランド間に流れる異常電流から不良に関わるMOSから発生するホットエレクトロンを捉え、不良位置を特定する解析手法です。

解析事例

目的

　半導体デバイス動作にともない、赤外レーザー照射による抵抗変化位置を検出する

ことで、ICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込みを行います。

方法

　電源ーグランド間に流れる異常電流状態中に、配線へレーザー照射することで局所的な温度変化を起こさせます。温度変化から電源－グランド間に流れる電流に変化が生じ、その電流変化をレーザー走査に同期させて画像化する解析手法です。不良部位では熱の影響を受けやすく、電流変化が大きくなるため、不良位置を特定することができます。