「絶縁膜」一覧

回路修正

　数nm程度に集束したイオンビームを試料に照射・走査することにより、

　数百μｍ～サブミクロンオーダーの加工をご提供できます。

　対象材料に適した各種エッチングガスやメタル／絶縁膜デポジションを用いて、

　お客様のご要望に沿った回路修正やPAD作製が可能です。

解析方法

　　・数十kVで加速され放銃されたイオンビームをコンデンサレンズで集束、

　　　偏向電極によりビーム走査をおこない試料に照射します。

　　・スパッタリングより試料から励起された2次電子を検出・信号化することにより

　　　画像取得を行います。

　　・イオンビーム照射と共に各種ガスを導入・反応させることにより、

　　　高精度かつ選択的なエッチング／デポジションを行います。

　　・CADデータをご提供頂く事により、多層LSI配線下層部に対する高精度な

　　　加工アプローチが可能です。

解析事例