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「EM評価」一覧

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  • 半導体要素信頼性評価(EM評価/TDDB評価/WLR評価)

    半導体要素信頼性評価 EM評価 TDDB評価 N(P)BTI評価 HCI評価  / 2022年07月26日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    半導体要素信頼性評価

    半導体製品の品質は製造プロセスの品質に依存します。
    製造プロセスの開発や変更、異常発生の際には信頼性への影響を確認するために、ウエハ・素子レベルといった要素で品質確認が必要となります。

    評価試験の種類

    EM評価、TDDB評価、N(P)BTI評価、HCI評価の実施により、

    半導体デバイスの要素について評価を致します。

     

    代表的試験3種類をご紹介致します。

    EM評価 (Electromigration)

    目的 

    半導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象

    試験条件例    (50℃)60℃~250℃
    参考規格例 EIA/JESD33-B、EIA/JESD63 JESD87
    対応範囲

    ■対応可能ストレス電流
       MAX 50mA/追従電圧20V
       MAX 100mA/追従電圧50V
       MAX 500mA/追従電圧30V
    ■DILC-24PIN、28PIN対応
        IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12)

     

    TDDB評価(Time Dependent Dielectric Breakdown)

    目的 

    酸化膜(絶縁膜)の経時破壊現象   

    試験条件例    50℃~250℃
    参考規格例 JESD35-A、EIAJ-988
    対応範囲

    ■対応可能ストレス電圧
       MAX 50V/163個
       MAX 200V/48個
    ■DILC-24PIN、28PIN対応
        VL:1 /VH:12
    ■電流検出精度
       50V電源:1nA(1E-10A)~10mA(1E-3A)
       200V電源:1nA(1E-10A)~1mA(1E-4A)

     

    WLR評価(Wafer Level Reliability)

    試験条件例    -40℃~150℃
    参考規格例 -
    対応範囲

    マニピュレーター方式:(タングステン、針先φ10um x 4本)
    対応可能ウエハサイズ:6,8,12インチ
    計測器:KEYSITE 4156(半パラ/パラアナ)

     

    ウエハ断面略図            ■セラミックパッケージ 

     

    EM評価仕様/評価結果

    試験結果から、累積寿命分布を引き膜厚、許容電流値等のパラメータから

    寿命推定を行います

    TDDB評価仕様/評価結果

    試験結果から、ワイブル分布を引き膜厚や判定電圧等のパラメータから

    M値や寿命推定を行います。


    WLR評価仕様/評価結果

      3ストレス電圧条件からIdsの劣化特性取得し、HCI/NBTIの寿命推定を行います。

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