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半導体静電破壊試験(ESD試験)
半導体や電子部品が静電気による電気ストレスを受けた場合の破壊耐量を
評価します。試験方法
試験方法
静電気の発生モデルにより、以下の3種類の方法があります。
人体モデル(HBM法:Human Body Model)
目的 デバイスに対して人体から静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例 C=100pF、R=1.5KΩ、1回印加(C：コンデンサ容量、R：抵抗) 参考規格例 EIAJ、JEDEC 対応範囲 PIN数：1～512pin、電圧：±10～±8000V
マシンモデル(MM法:Machine Model)
目的 デバイスに対して機械から静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例 C=200pF、R=0Ω、1回印加(C：コンデンサ容量、R：抵抗) 参考規格例 JEITA、JEDEC 対応範囲 PIN数：1～512pin、電圧：±10～±4000V
デバイス帯電モデル(CDM法:Charged Device Model)
目的 デバイス自身が帯電して静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例 1回印加 参考規格例 JEITA、JEDEC 対応範囲 PIN数：1～1024pin、電圧：±10～±4000V
装置外観
MM/HBM法 試験機 専用基板（製作可能）
CDM法 試験機
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