「HBM法」一覧
すべてのページカテゴリ一覧
»
「HBM法」に関するページ
-
半導体静電破壊試験(ESD試験)
半導体や電子部品が静電気による電気ストレスを受けた場合の破壊耐量を
評価します。試験方法
試験方法
静電気の発生モデルにより、以下の3種類の方法があります。
人体モデル(HBM法:Human Body Model)
目的 デバイスに対して人体から静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例 C=100pF、R=1.5KΩ、1回印加(C:コンデンサ容量、R:抵抗) 参考規格例 EIAJ、JEDEC 対応範囲 PIN数:1~512pin、電圧:±10~±8000V
マシンモデル(MM法:Machine Model)
目的 デバイスに対して機械から静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例 C=200pF、R=0Ω、1回印加(C:コンデンサ容量、R:抵抗) 参考規格例 JEITA、JEDEC 対応範囲 PIN数:1~512pin、電圧:±10~±4000V
デバイス帯電モデル(CDM法:Charged Device Model)
目的 デバイス自身が帯電して静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例 1回印加 参考規格例 JEITA、JEDEC 対応範囲 PIN数:1~1024pin、電圧:±10~±4000V
装置外観
MM/HBM法 試験機 専用基板(製作可能)
CDM法 試験機
【このページの関連ページ】
- 1
- サイト内検索
- 新着ページ
-
- 第43回 ナノテスティングシンポジウム NANOTS2023に出展 (2023年10月23日)
- 受託サービスカタログ Rev2.0リリース (2023年10月13日)
- 解析受託サービス (2023年10月12日)
- その他試験(気密性/ガス腐食/耐溶剤性/加湿+実装/PIND) (2023年06月19日)
- パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価 (2023年06月15日)