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静電破壊試験（ESD試験) HBM法 MM法 CDM法 / 2023年02月07日 / 電子・半導体試験・分析・測定

半導体静電破壊試験(ESD試験)

半導体や電子部品が静電気による電気ストレスを受けた場合の破壊耐量を
評価します。

　静電気の発生モデルにより、以下の3種類の方法があります。

目的	デバイスに対して人体から静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例	C=100pF、R=1.5KΩ、1回印加(C：コンデンサ容量、R：抵抗)
参考規格例	EIAJ、JEDEC
対応範囲	PIN数：1～512pin、電圧：±10～±8000V

目的	デバイスに対して機械から静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例	C=200pF、R=0Ω、1回印加(C：コンデンサ容量、R：抵抗)
参考規格例	JEITA、JEDEC
対応範囲	PIN数：1～512pin、電圧：±10～±4000V

目的	デバイス自身が帯電して静電気が放電された場合を模擬した試験
試験条件例	1回印加
参考規格例	JEITA、JEDEC
対応範囲	PIN数：1～1024pin、電圧：±10～±4000V