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半導体要素信頼性評価 EM評価 TDDB評価 N(P)BTI評価 HCI評価 / 2022年07月26日 / 電子・半導体試験・分析・測定

半導体要素信頼性評価

半導体製品の品質は製造プロセスの品質に依存します。
製造プロセスの開発や変更、異常発生の際には信頼性への影響を確認するために、ウエハ・素子レベルといった要素で品質確認が必要となります。

EM評価、TDDB評価、N(P)BTI評価、HCI評価の実施により、

半導体デバイスの要素について評価を致します。

代表的試験3種類をご紹介致します。

EM評価 (Electromigration)

目的	半導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象
試験条件例	(50℃)60℃～250℃
参考規格例	EIA/JESD33-B､EIA/JESD63 JESD87
対応範囲	■対応可能ストレス電流 MAX 50mA/追従電圧20V MAX 100mA/追従電圧50V MAX 500mA/追従電圧30V ■DILC-24PIN、28PIN対応 IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12)

TDDB評価(Time Dependent Dielectric Breakdown)

目的	酸化膜（絶縁膜）の経時破壊現象
試験条件例	50℃～250℃
参考規格例	JESD35-A､EIAJ-988
対応範囲	■対応可能ストレス電圧 MAX 50V/163個 MAX 200V/48個 ■DILC-24PIN、28PIN対応 VL:1 /VH:12 ■電流検出精度 50V電源：1nA(1E-10A)～10mA(1E-3A) 200V電源：1nA(1E-10A)～1mA(1E-4A)

WLR評価(Wafer Level Reliability)

試験条件例	-40℃～150℃
参考規格例	-
対応範囲	マニピュレーター方式:(タングステン、針先φ10um x 4本) 対応可能ウエハサイズ:6,8,12インチ計測器:KEYSITE 4156(半パラ/パラアナ)