「HCI評価」一覧
-
半導体要素信頼性評価
半導体製品の品質は製造プロセスの品質に依存します。
製造プロセスの開発や変更、異常発生の際には信頼性への影響を確認するために、ウエハ・素子レベルといった要素で品質確認が必要となります。評価試験の種類
EM評価、TDDB評価、N(P)BTI評価、HCI評価の実施により、
半導体デバイスの要素について評価を致します。
代表的試験3種類をご紹介致します。
EM評価 (Electromigration)
目的 半導体に電流を流すことにより金属イオンが移動する現象
試験条件例 (50℃)60℃~250℃ 参考規格例 EIA/JESD33-B、EIA/JESD63 JESD87 対応範囲 ■対応可能ストレス電流
MAX 50mA/追従電圧20V
MAX 100mA/追従電圧50V
MAX 500mA/追従電圧30V
■DILC-24PIN、28PIN対応
IL:1(1) /VL:4(4) /VL:8(8) /VL:12(12)TDDB評価(Time Dependent Dielectric Breakdown)
目的 酸化膜(絶縁膜)の経時破壊現象
試験条件例 50℃~250℃ 参考規格例 JESD35-A、EIAJ-988 対応範囲 ■対応可能ストレス電圧
MAX 50V/163個
MAX 200V/48個
■DILC-24PIN、28PIN対応
VL:1 /VH:12
■電流検出精度
50V電源:1nA(1E-10A)~10mA(1E-3A)
200V電源:1nA(1E-10A)~1mA(1E-4A)WLR評価(Wafer Level Reliability)
試験条件例 -40℃~150℃ 参考規格例 - 対応範囲 マニピュレーター方式:(タングステン、針先φ10um x 4本)
対応可能ウエハサイズ:6,8,12インチ
計測器:KEYSITE 4156(半パラ/パラアナ)■ウエハ断面略図 ■セラミックパッケージ
EM評価仕様/評価結果
TDDB評価仕様/評価結果
WLR評価仕様/評価結果
【このページの関連ページ】
- 1
- 新着ページ
-
- X線解析 (2023年05月31日)
- 電気特性(カーブトレーサ) (2023年05月30日)
- 元素分析 (2023年05月29日)
- 無機主成分分析(非破壊) (2023年05月24日)
- 回路修正 (2023年05月22日)