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    IR-OBIRCH解析 赤外レーザー ICチップ ショート リーク  / 2023年05月12日 /  電子・半導体 試験・分析・測定 先端技術

    目的

     

     半導体デバイス動作にともない、赤外レーザー照射による抵抗変化位置を検出する

    ことで、ICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込みを行います。

     

     

    方法

     電源ーグランド間に流れる異常電流状態中に、配線へレーザー照射することで局所的な温度変化を起こさせます。温度変化から電源-グランド間に流れる電流に変化が生じ、その電流変化をレーザー走査に同期させて画像化する解析手法です。不良部位では熱の影響を受けやすく、電流変化が大きくなるため、不良位置を特定することができます。

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