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「IGBT」一覧

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  • パワー半導体(IGBT、SIC等)の高電圧印加による絞り込み解析

    パワーデバイス パワー半導体 IGBT SIC 高電圧印加  / 2024年01月12日 /  電子・半導体 試験・分析・測定 先端技術

     

    パワー半導体(IGBT、SIC等)の高電圧印加による絞り込み解析

     

     近年では脱炭素化への取り組みなどから、EVや再生可能エネルギーへの世界的な移行に

     より、高効率電力使用によるIGBT (Insulator Gate Bipolar Transistor)、

     SiC (Silicon Carbide) 等、パワー半導体の需要の増加しています。

     

     そのような背景から、解析ニーズの高いパワー半導体(IGBT、SiC等)の故障位置

     絞り込みを、最大3,000V迄の高電圧を印加可能なOBIRCH・発光・発熱解析の受託

     しております。リモートでの立会解析も可能です。

     

    各種試験装置

       

    各種試験

    サービス内容特長

    発光解析

    発光解析(Photo Emission Microscope )は半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発光を検出することで、不良箇所を絞り込みます。
    IR-OBIRCH解析
    OBIRCH解析(Optical Beam Induced Resistance Change)は半導体デバイス動作にともない、赤外レーザー照射による抵抗変化位置を検出することで、不良箇所を絞り込みます。
    発熱解析
    発熱解析は半導体デバイス動作にともない発生する微弱な発熱を検出することで、不良箇所を絞り込みます。
    ナノプローバ解析
    ナノプローバ装置にて、解析サポート技術で研磨処理した試料のタングステンプラグに針当てを行い、発光解析等で同定した不良トランジスタの特性を直接測定致します。
    EOP/EOFM解析  EOP(Electro Optical Probing)とEOFM(Electro Optical Frequency Mapping)は半導体デバイス内部の動作解析を行う手法です。
  • パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価

    パワーデバイス パワーモジュール 電気的特性 ダイオード MOSFET IGBT パワーモジュール DC特性 静特性 AC特性 動特性  / 2023年06月15日 /  電子・半導体 試験・分析・測定 先端技術

     

    パワーデバイス・パワーモジュールの電気的特性検査 評価

     

     ダイオード、MOSFET、IGBTなどの各種パワーデバイス、及び

     パワーモジュールのDC特性 (静特性)、AC特性(動特性)検査・評価

     サービスを提供します。

     

    試験方法

      

     ・高電圧、大電流の評価環境に対応。
     ・測定温度-60~250℃までの評価環境に対応。
     ・パワーデバイス評価ノウハウを持ったエンジニアが対応

     

    検査・評価装置(※一例)

      

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