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    TEM STEM  / 2022年09月02日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    TEM/STEM解析

    透過形電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope)/走査透過形電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope)は薄片化した試料に電子線を照射し、透過した電子線を結像させる装置です。主に形状、結晶性、組成に起因した像を観察できます。

    解析方法

    TEMは数十kV~数百kVに加速した電子線を試料に照射し、透過電子を磁界レンズで拡大することにより観察します。
    T形態、結晶構造、電子状態などが得られ、分解能は0.1nm~0.2nmです。
    T電子線が透過するように試料を薄片化する必要があり、主にFIBを用いて0.1~0.2μm程度に薄片化を行います。
    STEMは細く絞った電子ビームで試料を走査し、各種電子を検出して結像します。
    二次電子像(SE)、透過電子像(TE)、散乱電子像(ZC)の観察が可能です。
    EDSによる点分析、線分析、元素マッピング(元素(B~U))の定性分析が可能です。
    EELSによる点分析、元素マッピング(元素(Li~))、及び化学結合状態の測定が可能です。
    ※EDS、EELSの検出下限は%オーダーです。  

    STEM観察事例

     

     

    TEM観察事例

     

    WLR評価仕様/評価結果

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