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「Time Domain Reflectometry：時間領域反射」一覧

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    半導体高精細TDR解析 Time Domain Reflectometry：時間領域反射  / 2022年06月20日 /  電子・半導体 試験・分析・測定

    半導体高精細TDR解析

    伝送路における特性インピーダンス変化を計測することで、
    経路上での特にオープン不良の位置を特定します。

    【メリット】
    本解析では、従来型では取れなかった基板内の各層の波形が計測でき、
    基板内での異常の検知が可能になります。

    解析方法・解析結果

    解析方法

    伝送路に高速なパルスやステップ信号を印加し反射波形を計測することで、伝送路における特性インピーダンス変化を計測し、良品等との比較を行うことで、異常個所の特定を行います。
    また、弊社TDRではテラヘルツ波計測応用光サンプリング技術を用いることで、従来型に比べて高分解能での計測が可能となり、PCB基板での各層の確認が可能となっております。

    解析原理

    装置外観

    解析結果

    高精細TDRでは従来型では取れなかった基板内の各層の波形が計測でき、
    基板内での異常の検知が可能です    。

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