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7/24【セミナー】自動車の電動化に向けた、SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

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電気・電子・半導体・通信 自動車技術  / 2019年05月29日 /  自動車 電子・半導体
イベント名 自動車の電動化に向けた、SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
開催期間 2019年07月24日(水)
10:30~16:30
会場名 東京・品川区大井町 きゅりあん 5F 第4講習室
会場の住所 東京都
地図 https://www.science-t.com/hall/16431.html
お申し込み期限日 2019年07月23日(火)16時
お申し込み受付人数 30  名様
お申し込み

 

~最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで~

 

★ パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!

 

講師

 

筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏

【経歴・活動】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究、量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member
電気学会上級会員、応用物理学会会員
「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」編集委員(電気学会出版)

 

【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計,解析技術

 

 受講料(税込)

 

48,600円(本体45,000円+税3,600円)※資料・昼食付
キャンペーン!2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)

 

 趣旨

 

 近年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。
 EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

 

 プログラム

 

<得られる知識、技術>
過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 高周波化のメリット
 1.5 Si-MOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の今と将来
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新しいコンセプトのIGBT(RC-IGBT)開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 SiCのSiに対する利点
 3.4 なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
 3.5 SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
 3.6 SiCウェハができるまで
 3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.8 最近のSiC-MOSFETトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
 3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.12 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET  

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4.5 ノーマリ-オフ特性
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4.10 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ

5.高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーデバイスの動作パターン
 5.4 パワーデバイス動作中の素子破壊例
 5.5 信頼性設計とシミュレーションの活用

6.まとめ

  □質疑応答・名刺交換□

 

━━━━━━━━━━━━◆キャンペーンについて◆━━━━━━━━━━━━━━━━━━

≪お申し込み方法≫

 お申し込みページ一番上の連絡事項欄に「2名同時申込み」希望の旨と、

 2人目の受講者様の情報(お名前・メールアドレスは必須)をご入力ください。

 住所等が申込者様と同一の場合は、省略いただいて結構です。

・2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。詳細は別途ご連絡いたします。

・同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。

・3名様以上でお申込みの場合、3人目以降は定価の半額で受講できます。

・受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。

・請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。ご希望の場合はお知らせください。

・他の割引は併用できません。

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○お申し込み後、サイエンス&テクノロジーより確認のご連絡を差し上げます。

○受講料は銀行振込、または当日会場にて現金でお支払いください。

○お申込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席も可能です。

やむなくキャンセルされる場合は、下記のキャンセル規定で承ります。

◇キャンセル規定◇

開催日から逆算(営業日:土日・祝祭日等を除く)いたしまして、

・開催7日前以前でのキャンセル: キャンセル料はいただきません

・開催3~6日前でのキャンセル: 受講料の70%

・開催当日~2日前でのキャンセル・欠席: 受講料の100%

※受講料入金後での7日前以前のキャンセルについて、返金の手続きが発生した場合の振込手数料はお客様負担とさせていただきます。

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※お申し込み詳細についてはQ&Aにも掲載しております。

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