3/13 酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向

第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」(11:00-15:05) 

※12:30～13:20は昼食休憩
　大阪公立大学　大学院工学研究科 電子物理系専攻　教授
　(国研)情報通信研究機構　未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター
　グリーンICTデバイス研究室　室長(兼務)　東脇 正高　氏　【講師紹介】

第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後​」(15:15～16:15)
　(株)ノベルクリスタルテクノロジー　取締役 CTO　佐々木 公平　氏　【講師紹介】 

第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」

【講演趣旨】
　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。 　

【プログラム】
　１．はじめに
　　　1.1 Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
　　　1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途
　２．Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
　　　2.1 MBE成長
　　　2.2 HVPE成長
　　　2.3 MOCVD成長
　３．Ga2O3トランジスタ開発
　　　3.1 横型フィールドプレートMOSFET
　　　3.2 横型ノーマリーオフMOSFET
　　　3.3 横型高周波MOSFET
　　　3.4 縦型MOSFET
　　　3.5 国内外のGa2O3トランジスタ開発動向
　４．Ga2O3ダイオード開発
　　　4.1  HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
　　　4.2  縦型フィールドプレートSBD
　　　4.3  縦型ガードリングSBD
　　　4.4  国内外のGa2O3ダイオード開発動向
　５．まとめ、今後の課題
　□ 質疑応答 □

【得られる知識】
・Ga2O3物性の基礎知識
・エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」

【講演趣旨】
　酸化ガリウム(β-Ga2O3)は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。

【プログラム】
　１．ノベルクリスタルテクノロジーについて
　２．β-Ga2O3パワーデバイスの魅力
　３．単結晶基板、エピタキシャル成長技術
　　　3.1 4インチ単結晶基板
　　　3.2 4インチエピタキシャルウェハ
　４．パワーデバイス応用
　　　4.1 ショットキーバリアダイオード
　　　4.2 トランジスタ
　５．まとめ
　□ 質疑応答 □

【得られる知識】
・β-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長技術の最新動向
・ノベルクリスタルテクノロジー社が進めるβ-Ga2O3ショットキーバリアダイオード製品化の最新状況 

※詳細・お申込みは上記

「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。