材料・オリジナル試験機や、超高温炉(1800℃)を製造・販売しております。
製品・技術
広い面積でも均一に加熱「平板型赤外線加熱装置」
3インチ以上の面積の化合物半導体やシリコンウエハー等は均熱良く加熱する必要があります。
平板型赤外線加熱装置は、密閉チャンバーにより、雰囲気下で高速にかつ精度良く加熱することが可能です。
■平板型赤外線加熱装置の特徴
- 大面積の試料に対応!(最大6インチ)
- 温度分布調節機能付き温度制御器
- 半導体のアニール等の高速昇温が可能
- 従来の抵抗炉に対して高速冷却が可能
- 鋼板の焼入れ等のシュミレーションが可能
- 密閉チャンバーにより雰囲気調節が可能
- LED用CVD装置
- 半導体アニール装置
- 鋼板用焼入れ装置
- 各種素材の加熱冷却装置 など
■仕様
温度範囲: 100℃~1100℃(条件によりMAX1200℃)
昇温速度: 最大100℃/秒 ※試料等の条件によりますのでご相談ください
冷却速度: 最大50℃/秒(1000℃~500℃) ※試料等の条件によりますのでご相談ください
雰囲気: 大気不活性ガス真空中等 ※ご相談ください
ご要望の加熱面積、雰囲気に合わせてカスタマイズ致します。
米倉製作所では、高度化、多様化するユーザーのみなさまのニーズに、きめ細やかにお応えするとともに、新たな技術と製品の開発に努めます。
平板型赤外線加熱装置について、ご質問、ご要望等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。
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