「平板型赤外線加熱装置」半導体のアニールなどの高速昇温が可能！

広い面積でも均一に加熱「平板型赤外線加熱装置」

3インチ以上の面積の化合物半導体やシリコンウエハー等は均熱良く加熱する必要があります。

平板型赤外線加熱装置は、密閉チャンバーにより、雰囲気下で高速にかつ精度良く加熱することが可能です。

■平板型赤外線加熱装置の特徴

• 大面積の試料に対応！（最大6インチ）
• 温度分布調節機能付き温度制御器
• 半導体のアニール等の高速昇温が可能
• 従来の抵抗炉に対して高速冷却が可能
• 鋼板の焼入れ等のシュミレーションが可能
• 密閉チャンバーにより雰囲気調節が可能

 ■用途　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

• LED用CVD装置
• 半導体アニール装置
• 鋼板用焼入れ装置
• 各種素材の加熱冷却装置　など

■仕様

温度範囲：　100℃～1100℃（条件によりMAX1200℃）

昇温速度：　最大100℃／秒　※試料等の条件によりますのでご相談ください

冷却速度：　最大50℃／秒（1000℃～500℃）　※試料等の条件によりますのでご相談ください

雰囲気：　大気不活性ガス真空中等　※ご相談ください

ご要望の加熱面積、雰囲気に合わせてカスタマイズ致します。

米倉製作所では、高度化、多様化するユーザーのみなさまのニーズに、きめ細やかにお応えするとともに、新たな技術と製品の開発に努めます。

平板型赤外線加熱装置について、ご質問、ご要望等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。