近赤外線集光で、毎秒100℃の昇温が可能。均一に試料を最高1700℃まで高速加熱・高速冷却。
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中赤外線イメージ炉の特長 中赤外線イメージ炉は、近赤外線イメージ炉に比べ加熱温度は低くなりますが、高い均一性で試料の加熱を行います。いつ試料が溶け始め、いつ変形し始めたかなど、融解の様子をリアルタイム…
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「平板型赤外線加熱装置」半導体のアニールなどの高速昇温が可能！
広い面積でも均一に加熱「平板型赤外線加熱装置」 3インチ以上の面積の化合物半導体やシリコンウエハー等は均熱良く加熱する必要があります。平板型赤外線加熱装置は、密閉チャンバーにより、雰囲気下で高速にかつ精…
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