【Live配信 or アーカイブ配信】次世代パワーデバイスの開発・市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術

＜セミナー　No.506424＞

次世代パワーデバイスの開発・市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術

★ SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を徹底解説！

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■講師

筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士(工学)　岩室 憲幸 氏

■聴講料

１名につき５５，０００円（消費税込・資料付き）

１社２名以上同時申込の場合１名につき４９，５００円（税込）

大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

■セミナーの受講について
・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
　→ https://zoom.us/test
・開催数日前または配信開始日までに視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
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　ご入力いただいた情報は他の受講者には表示されません。
・開催前日または配信開始日までに、製本したセミナー資料をお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。
　お申込みが直前の場合には、開催日または配信開始日までに資料の到着が間に合わないことがあります。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
　複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・アーカイブ配信セミナーの視聴期間は延長しませんので、視聴期間内にご視聴ください。

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【講座概要】
2025年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

【受講対象】
パワー半導体デバイス，ならびにパワーエレクトロニクス関連装置の業務に携わっている方。パワー半導体デバイスの今後の動向に興味を持たれている方

【受講後習得できること】
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など

1.パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
　1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1.2 パワー半導体の種類と基本構造
　1.3 パワーデバイスの適用分野
　1.4 最近のトピックスから
　1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
　1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1.7 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　1.8 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2.2 MOSFET特性改善を支える技術
　2.3 IGBT特性改善を支える技術
　2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
　2.5 IGBT特性改善の次の一手
　2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
　2.7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
　3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
　4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4.2 GaNデバイスの構造
　4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4.5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4.6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
　4.7 縦型GaNデバイスの最新動向

5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　5.1 酸化ガリウムの特徴は何
　5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

6.SiCパワーデバイス実装技術の進展
　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6.2 銀または銅焼結接合技術
　6.3 SiC-MOSFETモジュール技術

【質疑応答】

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