【Live配信 or アーカイブ配信】GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開

＜セミナー　No.509402＞

GaNパワーデバイスの特性と

横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開

★EV、データセンターへの応用が進むGaNパワー半導体の現状と将来像

　期待が大きい縦型デバイスの優位性、社会実装へ向けた最新の開発動向も解説

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■講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　特任教授　加地 徹 氏

■聴講料

１名につき４９，５００円（消費税込・資料付き）

１社２名以上同時申込の場合１名につき４４，０００円（税込）

大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

■セミナーの受講について
・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
　→ https://zoom.us/test
・開催数日前または配信開始日までに視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
　セミナー開催日時またはアーカイブ配信開始日に、視聴サイトにログインしていただきご視聴ください。
・出席確認のため、視聴サイトへのログインの際にお名前、ご所属、メールアドレスをご入力ください。
　ご入力いただいた情報は他の受講者には表示されません。
・開催前日または配信開始日までに、製本したセミナー資料をお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。
　お申込みが直前の場合には、開催日または配信開始日までに資料の到着が間に合わないことがあります。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
　複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・アーカイブ配信セミナーの視聴期間は延長しませんので、視聴期間内にご視聴ください。

プログラムああああああああああああああああああああああああああああああああああああ

【本講座で学べること】

・GaNという材料の特徴

・横型構造GaNパワーデバイスの特徴と実際

・縦型構造GaNパワーデバイスの他材料に対する優位性、差別化

・縦型構造GaNパワーデバイス開発の現状と展望

【講座概要】

将来の高効率パワーデバイスの有力な候補とされているGaNを用いたパワーデバイスの現状と将来を理解していただく。横型パワーデバイスはGaN特有の構造で多くの特徴を持ち、開発も進んで実用化されつつある。Siと比べても優位性を持つことから、システム応用が進んでおり、わが国でも応用展開を喚起したい。縦型パワーデバイスはまだ実用化手前であるが、その開発は速いスピードで進んでおり,現状と課題を説明する。今のところ我が国がリードしていると考えているが、世界での開発競争が始まっており、危機感を共有したい。

１．GaNの物性と強み

２．GaNパワーデバイスの特徴

３.　横型パワーデバイス

　3.1 横型パワーデバイスの構造と特徴

　3.2 技術課題と対策

　　3.2.1 電流コラプス

　　3.2.2 ノーマリオフ

　　3.2.3 エピタキシャル成長

　3.3 実際の構造とパッケージング

　3.4 世界の開発動向と応用

４．縦型パワーデバイス

　4.1 縦型パワーデバイスの構造と特徴

　4.2 作製プロセスの課題

　4.3 要素技術の現状

　　4.3.1 結晶成長技術

　　4.3.2 トレンチ加工技術

　　4.3.3 ゲート絶縁膜とチャネル移動度

　　4.3.4 イオン注入技術

　　4.3.5 GaN基板開発の現状

　4.3 縦型パワーデバイスの実際

　　4.3.1 Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード

　　4.3.2 Junction FET

　　4.3.3 MOSFET

　4.4 開発の展望と応用

５．全体のまとめ

セミナーの詳細についてはお気軽にお問い合わせください。

２名以上同時にお申込される場合、２人目以降の方の情報は【弊社への連絡事項がございましたら、こちらにお書きください】欄にご入力をお願いいたします。