| イベント名 | クライオエッチングの反応メカニズムと高アスペクト比加工技術 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年03月16日(月)
13:00~16:00 |
| 会場名 | ZOOMを利用したLive配信 ※会場での講義は行いません |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年03月13日(金)15時 |
| お申し込み |
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<セミナー No.603404>
クライオエッチングの反応メカニズムと
高アスペクト比加工技術
★アスペクト比の増加で注目を集める次世代のエッチング技術!
その導入の背景、原理・反応プロセス、エッチング性能、最新の加工事例まで詳解
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■講師
名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 特任教授 蕭 世男 氏
■聴講料
1名につき49,500円(消費税込・資料付き)
1社2名以上同時申込の場合1名につき44,000円(税込)
大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。
■Live配信セミナーの受講について
・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
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・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
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Webブラウザから視聴する場合は、Google Chrome、Firefox、Microsoft Edgeをご利用ください。
・セミナー資料はお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。ご了承ください。
・当日は講師への質問することができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。万が一部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
プログラムあああああああああああああああああああああああああああああああああああああ
【本セミナーで学べること】
プラズマプロセス分野以外の方でも理解しやすいよう、ドライエッチングの基礎原理と知識から解説する。ドライプロセスの要件を理解することより、高アスペクトエッチング、クライオエッチングの原理と各分野への応用を説明する。最後、クライオエッチングの反応メカニズムと最新動向を紹介する。
【講座概要】
半導体集積回路デバイスの製造において、プラズマを用いた微細加工、すなわちプラズマエッチングは不可欠なプロセス技術である。トランジスタ、DRAM、NANDに代表されるデバイスでは、従来の微細化および高積層化(スケーリング)が進められてきた。しかし近年、既存技術には物理的・技術的な限界が顕在化しつつある。そこで、基板温度を極低温領域まで低下させ、ウェハ表面における反応種の物理吸着および表面拡散を制御するクライオエッチング(cryogenic etching)が注目されている。本講演では、プラズマエッチングの基本原理から、クライオエッチング導入の背景、反応メカニズムの解明、ならびに最新の研究動向について解説する。
1.エッチング加工とは
1.1 等方性エッチング
1.2 異方性エッチング
2.ドライプロセスエッチング
2.1 低温プラズマの基礎原理と知識
2.2 プラズマエッチングと装置
2.3 プラズマエッチングメカニズム
2.4 高アスペクトエッチング
3.クラオイエッチング
3.1 クラオイエッチングとは
3.2 クラオイエッチングの基礎原理
3.3 クラオイエッチングの応用例
4.クラオイエッチングによる高アスペクト比加工
4.1 クライオシリコン深掘エッチング
4.2 クライオチャネルホール深掘エッチング
5.クラオイエッチングの反応メカニズムと加工技術の最新動向
5.1 クラオイエッチングにおける気相反応
5.2 クラオイエッチングにおける表面反応
5.3 クライオ原子層エッチング
セミナーの詳細についてはお気軽にお問い合わせください。
2名以上同時にお申込される場合、2人目以降の方の情報は【弊社への連絡事項がございましたら、こちらにお書きください】欄にご入力をお願いいたします。
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