【Live配信 or アーカイブ配信 7/3】半導体ドライエッチングの基礎とプロセス制御技術

＜セミナー　No.607411＞
【Live配信 or アーカイブ配信】

半導体ドライエッチングの

基礎とプロセス制御技術

★エッチング工程のばらつき、異常を防ぐ考え方と制御方法について解説

■　講師
(同)アミコ・コンサルティング CEO 友安 昌幸 氏

【ご専門】 半導体製造

【ご略歴】
1983年　東京大学工学部物理工学科　卒業
1983年　東京エレクトロン株式会社　入社、ドライエッチング装置他各種の開発業務をリード。開発企画室にて、オープンイノベーションを推進。
2007-2012年　TEL Technology Center, America, Senior Vice President
2012-2014年　東京エレクトロン宮城　執行役員
2014-2019年　Samsung Electronics, Semiconductor R&D Center, Senior Vice President
2020-2021年　華為技術日本株式会社　横浜研究所　シニアエキスパート
2020年　アミコ・コンサルティング（個人事業主）
2021年　KPMGジャパン　製造セクター　アドバイザー
2022年　合同会社アミコ・コンサルティング　設立

■　聴講料 ： 1名につき４９，５００円（消費税込・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき４４，０００円（税込）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください〕

■　プログラム　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

【講演ポイント】
本講座では、現代の半導体製造に不可欠なドライエッチング技術について、その基礎原理から最新の技術動向、そして微細加工への応用までを包括的に解説します。半導体製造プロセス全体の理解を深めたい方、ハードウェア設計者としてプロセス技術への知見を広げたい方、または特定のプロセス技術に興味をお持ちの方々を対象に、ドライエッチングがどのように半導体デバイスの高性能化・高密度化に貢献しているのかをわかりやすくお伝えします。本講座を通じて、受講者の皆様が半導体産業の未来を担う技術の一端を深く理解し、自身の専門分野における新たな視点や発想を得ることを目指します。

【習得できる知識】
・半導体製造プロセス全体の中でのドライエッチングの位置づけと重要性を理解できます。
・ドライエッチングの基本的な原理とメカニズムを習得できます。
・様々なドライエッチング装置の構成と要素技術について学ぶことができます。
・最新の半導体デバイスにおけるドライエッチングの応用例とその進化の方向性を把握できます。
・ドライエッチング技術が抱える課題と今後の研究開発の方向性について理解を深められま

す。

【プログラム】
第1部：ドライエッチングの基礎
　1.1 半導体製造プロセスにおけるエッチングの役割
　　・半導体デバイスができるまで：主要プロセスの概観
　　・エッチング工程の位置づけと役割
　　・ウェットエッチングとドライエッチングの比較
　　・微細化・高集積化に伴いドライエッチングが重要となった背景
　1.2 ドライエッチングの基本原理
　　・プラズマとは何か：生成・維持の基本
　　・プラズマ中の主要活性種（イオン、ラジカル、電子）
　　・エッチングメカニズム
　　　o物理的エッチング
　　　o化学的エッチング
　　　oイオンアシスト反応
　　・異方性・選択比・エッチング速度を決める基本要因
　1.3 ドライエッチング装置の構成と要素技術
　　・ドライエッチング装置の基本構成
　　　o真空排気系
　　　oプロセスガス供給系
　　　o高周波電源・マッチング
　　　o電極・反応室
　　　o静電チャックと温調系
　　　o終点検出系
　　・CCP、ICPなど代表的プラズマ源の特徴
　　・装置構成とプロセス特性の関係

第2部：ドライエッチングのプロセス制御技術
　2.1 プロセス制御の基本的な考え方
　　・何を制御するのか：CD、形状、選択比、均一性、ダメージ、歩留まり
　　・プロセス条件と結果の関係
　　・レシピ最適化と量産安定化の違い
　　・開発段階と量産段階で異なる制御課題
　2.2 主要制御パラメータとその影響
　　・ガス種・ガス流量の制御
　　・圧力制御
　　・ソース電力・バイアス電力制御
　　・基板温度制御
　　・時間制御とシーケンス制御
　　・壁面状態・チャンバーコンディションの影響
　　・各パラメータがエッチング速度、異方性、選択比、均一性に与える影響
　2.3 プロセスモニタリングと終点検出
　　・終点検出の考え方と必要性
　　・OES、質量分析、電気的信号などの活用
　　・インライン計測・オフライン計測との連携
　　・モニタリングデータを用いた異常検知の基礎
　2.4 ばらつき・異常の発生メカニズムと対策
　　・面内均一性・ウェーハ間ばらつき・ロット間ばらつき
　　・マイクロローディング、ARDE、ノッチング、RIEラグ
　　・パーティクル、堆積膜、メモリー効果、チャンバー劣化
　　・再現性確保のためのチャンバーマッチングとコンディショニング
　2.5 量産を支える制御技術
　　・SPC、APC、FDCの考え方
　　・Run-to-Run制御の基礎
　　・レシピ管理、装置間マッチング、予防保全
　　・歩留まり改善につながるプロセス制御の実務ポイント

第3部：先端デバイスにおけるドライエッチングの進化
　3.1 先端デバイスで高度化する制御要求
　　・3D NANDにおける高アスペクト比加工
　　・FinFET/GAAにおける形状制御とダメージ抑制
　　・材料多様化に伴う選択比制御の難化
　　・EUVパターニングとの連携で求められるエッチング制御
　3.2 先端プロセス制御技術の最前線
　　・ALE（Atomic Layer Etching）
　　・低温エッチングプロセス
　　・高選択・低損傷プロセス
　　・プラズマ診断の高度化
　　・AI/機械学習を活用したプロセス最適化・異常予兆検知
　3.3 今後の展望
　　・環境負荷低減とプロセスガス対応
　　・パワーデバイス、MEMS、先端パッケージ分野への展開
　　・ドライエッチング技術者に今後求められる視点

【質疑応答】

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