【Live配信 or アーカイブ配信】＜AIデータセンターへ向けた＞ SiCパワー半導体の信頼性向上と不純物分析

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 【Live配信セミナー】

＜AIデータセンターへ向けた＞

SiCパワー半導体の信頼性向上と不純物分析

★　大電力化・高電圧化が進むAIデータセンターを支えるSiCパワー半導体の信頼性向上へ！

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■　講　師

１．富士電機(株)　技術開発本部　新製品開発プロジェクト室　主幹　大熊 康浩 氏
２．大阪大学　産業科学研究所　特任教授　博士（工学）　陳伝 トウ 氏
３．ローツェイアス(株)　代表取締役　川端 克彦 氏

■　聴講料

1名につき６０，５００円（消費税込、資料付）

〔１社２名以上同時申込の場合のみ１名につき５５，０００円〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください〕

◆　Live配信セミナーについてのお願い　◆

■　お申込み前にご確認ください
・ パソコンもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
快適に視聴するには30Mbbs以上の回線が必要です。

・ Zoomを使用されたことがない方は、ミーティング用Zoomクライアントをダウンロードして下さい。ダウンロードできない方はWebブラウザ(Google Chrome、Firefox、Microsoft Edge)でも受講可能です。Zoomの視聴にあたり、クライアントおよびWebブラウザは最新版にアップデートして使用してください。

・ 質問の際など、クリアな音声で会話ができるよう、ヘッドセット（イヤホンマイク）の使用をお勧めいたします。

・ Zoomの使用方法につきましては、事前にWeb等でご確認ください。

■　Live配信セミナーの受講について

・ 開講日の4～5日前に視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。

・ 出席確認のため、視聴サイトへのログインの際にお名前、ご所属、メールアドレスをご入力ください。ご入力いただいた情報は他の受講者には表示されません。

・ 開催前日着までに、製本したセミナー資料をお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。

・ 当日は講師への質問をすることができます。

・ 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。

・ 本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。

プログラム                                                                                    

【10:30-12:00】

１．データセンターの電源構成の変遷とパワー半導体デバイスへの期待

富士電機(株)　技術開発本部　新製品開発プロジェクト室　主幹　大熊 康浩 氏

【専門】

パワーエレクトロニクス

【略歴】

1990年、富士電機（株）入社。研究開発部門にてUPS、PCS、産業用直流電源ならびにサーバー電源向けの変換回路トポロジーやデバイス適用技術を中心としたパワーエレクトロニクス技術の研究開発に従事。現在、新製品開発プロジェクト室主幹および東北大学特任教授。

【講座の趣旨】

　データセンターにおける電源構成の変遷について紹介し、最新のAIデータセンターで求められる回路構成とパワー半導体デバイスの関係について紹介する。あわせて、より効率的な回路構成のための最新技術動向とパワー半導体デバイスへの期待について述べる。

１．背景

２．データセンターの配電構成の変遷

　2.1　交流配電と48バス配電構成
　2.2　直流配電と48Vバス配電構成
　2.3　直流配電と800Vバス配電構成

３．電源装置の技術革新と半導体デバイス

　3.1　交流配電におけるUPS（Uninterruptible Power Supply）
　3.2　48VバスおけるPSU（Power Supply Unit）
　3.3　直流配電におけるSST（Solid State Transformer）
　3.4　800VバスにおけるHV_IBC（High Voltage IBC）

４．今後の動向と期待

　4.1　高耐圧・大容量化
　4.2　双方向断機

５．まとめ

【質疑応答】

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【13:00-14:30】

２．銅および銀ペーストを用いたSiCパワー半導体の接合と信頼性向上

大阪大学　産業科学研究所　特任教授　博士（工学）　陳伝 トウ 氏

【専門】

実装工学、エレクトロニクス実装

【講座の趣旨】

　SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ（WBG）半導体材料を利用し、省エネ高効率化と小型軽量化の双方を兼ね備えるパワーデバイスの実現には、実装の長期信頼性構築が不可欠である。そのため、WBGパワーデバイスが曝される200～300℃の高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、冷却技術の革新的な技術の開発と信頼性評価が必要となる。
　本講演では高耐熱と高熱伝導率のAgまたCu焼結ペーストを紹介し、異種材との接合の特徴、AgまたCu焼結実装材料の開発と接合構造の構造信頼性結果をまとめて解説する。これらの内容は、次世代パワー半導体実装信頼性と新実装材料開発方法の視点から役に立てられると考える。

【習得できる知識】

・次世代パワーモジュール構造と実装に関する基礎知識
・銀焼結接合技術と異種材界面接合技術
・銅焼結接合技術と課題
・パワーモジュール信頼性評価
・電子機器実装に関する熱設計

１．WBGパワー半導体高温向けに求められる実装技術

２．銀ペーストによる接合技術

３．銅ペーストによる接合技術

４．構造信頼性評価

５．低応力高信頼性WBG実装構造の設計

６．SiC高放熱構造の開発

【質疑応答】

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【14:45-16:15】

３．SiCパワー半導体の金属不純物分析

ローツェイアス(株)　代表取締役　川端 克彦 氏

【専門】

ICP-MSを用いた極微量金属不純物分析

【略歴】

1976年、帝国酸素株式会社（現在の日本エア・リキード合同会社）に入社し、工業用ガスおよび半導体特殊ガスの製造および分析を行う。
1989年、横河電機株式会社（現在のアジレント・テクノロジー株式会社）に転職し、ICP-MSを用いた半導体分野での金属分析を行う。
2004年12月に株式会社イアスを創業し、代表取締役として現在に至る。

【講座の趣旨】

SiCあるいはGaNがパワー半導体用として用途が広がってきている。半導体中に導電性のある金属が含まれていると絶縁不良等の原因となるため金属分析が必要である。ICP-MSを用いてSiC中の微量金属汚染分析について説明する。

【習得できる知識】

SiC中の金属不純物分析法について、特にICP-MSを用いた極微量金属不純物分析法について

１．SiC中の金属汚染について

　1.1　金属汚染要因
　1.2　金属汚染の形態

２．金属汚染分析法について

　2.1　全反射蛍光X線法（TXRF）
　2.2　二次イオン質量分析法（SIMS）
　2.3　グロー放電質量分析法（GD-MS）
　2.4　誘導結合プラズマ質量分析法（ICP-MS）
　　2.4.1　気相分解法を用いたSiC表面の金属汚染
　　2.4.2　レーザーアブレーションを用いたSiC表面およびバルクSiC中の金属汚染

３．まとめ

【質疑応答】

セミナーの詳細についてお気軽にお問い合わせください。

２名以上同時にお申込される場合、２人目以降の方の情報は

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