イベント名 | 先端半導体パッケージに向けた封止材、パッケージ材の開発動向 |
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開催期間 |
2025年08月22日(金)
10:30~16:20 |
会場名 | ZOOMを利用したLive配信 ※会場での講義は行いません |
会場の住所 | 東京都 |
お申し込み期限日 | 2025年08月21日(木)15時 |
お申し込み |
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<セミナー No.508414>
【Live配信のみ】 アーカイブ配信はありません
先端半導体パッケージに向けた
封止材、パッケージ材の開発動向
★配線狭ピッチ化、2.xDパッケージに対応する材料への要求特性
★負の熱膨張材料、モールドアンダーフィル材、低CTEポリイミドフィルムによる反り対策
■ 講師
1.(株)レゾナック エレクトロニクス事業本部 開発センター パッケージングソリューションセンター 姜 東哲 氏
2. 東京科学大学 総合研究院 教授 博士(理学) 東 正樹 氏
3. サンユレック(株) 開発部 市場開発グループ グループリーダー 博士(工学) 石川 有紀 氏
4. 東洋紡(株) フィルムフロンティア開発部 前田 郷司 氏
■ 聴講料 :
1名につき66,000円(消費税込・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき60,500円(税込)〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
詳しくはお問い合わせください〕
※定員になり次第、お申込みは締切となります。
■ プログラム
<10:30~12:00>
1.2.xDパッケージの大型化に向けた反り抑制の課題と対応する材料技術
(株)レゾナック 姜 東哲 氏
【習得できる知識】
・微細バンプ接合技術と、対応したアンダーフィル材の狭ピッチ充填技術
・パッケージ大型化に伴なう技術課題と求められる材料特性
【講演ポイント】
近年、半導体の高性能化に伴い配線やバンプ接合の微細化が進んでいる。それに伴い要求される材料技術の水準も高くなっており、現在直面している技術課題に関して論じたい。
また、パッケージ全体の大型化も同時に進んでおり、最大の課題である反り抑制に関しての現状の課題と、解決に向けた材料技術に関しても議論させていただく。
【プログラム】
1.会社概要
2.パッケージングソリューションセンターに関するご紹介
3.企業連携プロジェクト”JOINT2”の概要説明
4.狭ピッチに伴う技術課題と求められる材料技術
4.1 バンプ接合の狭ピッチ化
4.2 ウェハレベルプロセスにおける反り抑制技術の課題
4.3 チップレット化に伴う微細バンプ実装の課題
4.4 狭ピッチに伴うアンダーフィル充填性向上の課題
5.2.xDパッケージの大型化に伴う技術課題と求められる材料技術
5.1 インターポーザー及びパッケージ基板の大型化
5.2 基板の大型化に伴う反り抑制技術の課題
5.3 パッケージの大型化に伴う信頼性への影響
5.4 実装技術の向上と求められる信頼性
【質疑応答】
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<13:00~14:00>
2.負熱膨張材料を用いた樹脂複合体の熱膨張制御技術とその応用展望
東京科学大学 東 正樹 氏
【講演ポイント】
現在樹脂の熱膨張抑制には、熱膨張係数の小さなSiO2(シリカ)がフィラーとして用いられています。しかしながら、温めると縮む、負の熱膨張材料を用いれば、ホスト材の熱膨張をゼロやマイナスの値に自在に調整可能です。
本セミナーでは、種々の負熱膨張材料、特に私共が開発したビスマスニッケル酸化物BNFOと、それらを用いたゼロ熱膨張コンポジットの研究を紹介します。
【プログラム】
1.負の熱膨張率を持つ材料と熱膨張測率の測定方法
1.1 種々の材料の熱膨張率とその測定方法
1.2 βユークリプタイトと結晶化ガラス
1.3 タングステン酸ジルコニウム
1.4 マンガン窒化物逆ペロブスカイト
1.5 ルテニウム酸化物と、ゼロ熱膨張コンポジット
1.6 その他の市販負熱膨張材料
2.巨大負熱膨張物質ビスマスニッケル酸化物
2.1 ペロブスカイト酸化物ABO3
2.2 ビスマスニッケル酸化物の圧力誘起電荷移動
2.3 元素置換による負熱膨張材料
2.4 ゼロ熱膨張コンポジットの作成
2.5 BNFOの販売について
【質疑応答】
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<14:10~15:10>
3.半導体パッケージに向けたモールドアンダーフィル材の設計と熱物性、反りの改善
サンユレック(株) 石川 有紀 氏
【講演ポイント】
IoT、5G、AIなど情報量の増大により、半導体パッケージは、3D化やチップレットなど微細化が進み、パッケージの量産プロセスでは、低コスト化のため、FOWLPなどの大面積一括封止できる材料が求められている。
微細化と封止エリアの大型化に対して、封止材への要求事項は、益々厳しくなってきている。
本講演では、モバイル製品や自動車部品にも多く用いられているSiP向けのモールドアンダーフィル材の開発内容と、先端半導体パッケージ向けモールドアンダーフィル材の低反りに向けた試みについて紹介する。
【プログラム】
1.開発背景
2.モバイル向けSiP(System in Package)のモールドアンダーフィル材の開発
2.1 要求特性
2.2 モールドアンダーフィル材の設計と熱物性
2.3 信頼性評価
2.4 反り評価
3.先端半導体パッケージ向けモールドアンダーフィル材の開発
3.1 コンプレッションモールド法とモールドアンダーフィル特性
3.2 低反りに向けた試み
4. まとめ
【質疑応答】
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<15:20~16:20>
4.高耐熱・低CTEポリイミドフィルムの特性と半導体パッケージ材料への応用
東洋紡(株) 前田 郷司 氏
【講演ポイント】
高耐熱・低CTEポリイミドフィルムの開発事例、ポリイミドフィルム物性制御の基本的な考え方、ポリイミドフィルムの製造方法、ポリイミドフィルムが適用される用途における要求特性と要求性能を達成するための技術について、高密度実装基板、高周波回路基板、フレキシブルディスプレイへの応用事例を交えて解説する。
【プログラム】
1.ポリイミドフィルム基板材料のプロセシング
1.1 高分子フィルム用材料
1.2 ポリイミドの基本構造とフィルム化プロセス
2.ポリイミドフィルム基板の寸法安定性
2.1 CTE:線膨張係数
2.2 高分子材料の熱特性と制御手法
2.3 高分子の非可逆熱変形
3.ポリイミドフィルム基板の表面特性
3.1 高分子フィルムの表面制御
4.耐熱・低CTEポリイミドフィルムの応用
4.1 高密度実装基板
4.2 高周波回路基板
4.3 フレキシブルディスプレイ
5.まとめ
【質疑応答】
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