【Live配信セミナー 12/10】SiC半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

 ＜セミナー　No.512423＞

【Live配信セミナー】

 SiC半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

★ ウェハの高品質、大口径化への対応は？ 溶液成長、プロトン注入技術を詳解！

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■講師 

１． (国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士（工学）　加藤 智久 氏
２． 名古屋大学　未来材料・システム研究所　准教授　博士(工学)　原田 俊太 氏
３． ブルカージャパン(株)　ナノフォトン事業部　Senior Application Scientist　足立 真理子 氏

■聴講料

１名につき６０，５００円（消費税込、資料付）

１社２名以上同時申込の場合１名につき５５，０００円（税込）

大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

■Live配信セミナーの受講について
・本講座はZoomを利用したLive配信セミナーです。セミナー会場での受講はできません。

・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
　→ https://zoom.us/test

・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。

・Zoomクライアントは最新版にアップデートして使用してください。Webブラウザから視聴する場合は、Google Chrome、Firefox、Microsoft Edgeをご利用ください。

・パソコンの他にタブレット、スマートフォンでも視聴できます。

・セミナー資料はお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。ご了承ください。

・当日は講師への質問することができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。

・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。

・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。

・Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。万が一部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

プログラムあああああああああああああああああああああああああああああああああああああ

＜１０：３０～１２：００＞

１．SiC結晶の成長と欠陥制御技術
(国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士（工学）　加藤 智久 氏
　
【講演概要】
高性能かつ低電力損失を実現するSiCパワー半導体の実装が進み、カーボンニュートラル社会に必要とされるエレクトロニクス技術として今後も普及拡大が見込まれている。本セミナーでは高品質大口径化SiC単結晶の成長技術とその結晶欠陥の制御に焦点を当て、技術開発動向の紹介、技術課題、今後の展開などについて議論する。

【受講対象】
・SiCウェハ材料とその開発動向、結晶欠陥制御に興味のある方

【受講後、習得できること】
・半導体用SiC単結晶の基礎知識、SiC結晶成長技術の開発動向と技術課題、SiCウェハ産業の動向に関する情報

1.SiC単結晶およびウェハの材料技術開発の動向
　1.1 パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　1.2 国内・外でのSiCウェハ開発動向
　1.3 SiCウェハ開発に対する今後の期待

2.SiC単結晶製造技術と欠陥制御
　2.1 SiC単結晶成長技術の特徴
　2.2 SiC単結晶に見られる欠陥とその抑制・制御技術の開発
　2.3 SiCの結晶多形 (ポリタイプ) の安定化
　2.4 大口径化と欠陥制御
　2.5 SiC単結晶の伝導度制御と欠陥抑制

【質疑応答】

＜１３：００～１４：３０＞

２．SiCウェハの欠陥評価技術
名古屋大学　未来材料・システム研究所　准教授　博士(工学)　原田 俊太 氏

　

【講演概要】
SiCパワーデバイスは、新幹線や電気自動車などにすでに導入されており、社会実装が始まっています。しかし、Siと異なりSiCウェハには多様な結晶欠陥が含まれ、生産性や信頼性に大きな影響を与えます。本講座では、SiCの結晶構造や欠陥の基礎から始め、欠陥がデバイス特性に与える影響、各種評価法（X線・PL・偏光観察など）、さらに欠陥制御技術（溶液成長やプロトン注入）までを体系的に解説します。受講後には、SiC結晶欠陥の理解と評価・制御の最新知見を習得できることを目指します。

【受講対象】
・半導体結晶に関する基礎的な知識を有し、SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えている方

【受講後、習得できること】
・SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識を習得できる。
・欠陥評価の各種手法（X線トポグラフィ、PL法、偏光顕微鏡法など）の理解を深めることができる。
・欠陥がデバイス特性に与える影響と、その制御技術の基本的な考え方を理解できる

1.SiCパワーデバイスと結晶欠陥

2.SiCの結晶構造と多形

3.結晶欠陥の基礎

4.結晶欠陥の種類と分類（点欠陥・線欠陥・面欠陥・体積欠陥）

5.SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響（マイクロパイプ、貫通転位）

6.SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響（基底面転位）

7.SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響（積層欠陥と通電劣化）

8.転位論の基礎（刃状転位・らせん転位・混合転位）

9.結晶欠陥評価法の概要

10.各種結晶欠陥評価法（X線トポグラフィ法）

11.各種結晶欠陥評価法（KOHエッチング）

12.各種結晶欠陥評価法（フォトルミネッセンス法）

13.各種結晶欠陥評価法（偏光観察法）

14.マルチモーダル解析（複数手法の組み合わせによる欠陥評価）

15.欠陥自動検出（画像処理・AIの応用）

16.SiC結晶の溶液成長による欠陥低減

17.溶液成長における転位変換のメカニズム

18.厚膜成長による高品質化と転位密度低減

19.プロトン注入による積層欠陥拡張の抑制

20.イオン注入によるデバイス劣化抑制

21.まとめと今後の展望
【質疑応答】

＜１４：４５～１６：１５＞

３．レーザーラマン顕微鏡による半導体ウエハーの応力、欠陥の分析技術
ブルカージャパン(株)　ナノフォトン事業部　Senior Application Scientist　足立 真理子 氏

　
【講演概要】
レーザーラマン顕微鏡を用いた半導体ウエハーの分析について、基礎から応用まで詳しく解説します。
ラマン分光分析は、少し前までは、非常に測定が難しく、かつ、時間がかかる分析だと思われていましたが、現在はどなたでも手軽に分析できる手法となりました。
本講座では、分析の幅が広がるよう、最先端 半導体材料のラマンイメージングによる応力・欠陥分析事例や、測定のコツをお伝えします。

【受講対象】
・半導体評価・分析技術者、半導体プロセス技術者

【受講後、習得できること】
・ラマン分光分析の基礎
・半導体の応力・欠陥分析技術

1.ラマン分光の基本

2.半導体の応力・欠陥分析においてラマン分光でできること
　2.1 組成評価
　2.2 応力評価
　2.3 結晶評価
　2.4 キャリア濃度評価

3.半導体ウエハーのラマン分光分析の課題と技術動向
　3.1 微小領域の分析技術
　3.2 応力評価のポイント
　3.3 ウエハー全面（広範囲）イメージング技術

4.半導体ウエハーのラマンイメージング分析事例
　4.1 Siウエハーの分析
　4.2 SiCウエハーの複合分析
　4.3 GaNウエハーの複合分析
　4.4 ウエハー上の薄膜 (MoS2)　ラマン、フォトルミネッセンス複合分析

5.最新の技術動向とまとめ

【質疑応答】

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