【Live配信 or アーカイブ配信 8/3】次世代パワーデバイスの開発と市場動向

＜セミナー　No.608421＞
【Live配信 or アーカイブ配信】

次世代パワーデバイスの開発と市場動向

-AIデータサーバを支えるSiC/GaN/酸化ガリウム技術-

★ SiC/GaNはどこまで普及するのか？ 最新開発・市場・実装技術を徹底解説！

■　講師

筑波大学　数理物質系　教授　博士（工学）　岩室 憲幸 氏

■　聴講料：1名につき５５，０００円（消費税込・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき４９，５００円（税込）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください〕

■Live配信セミナーの受講について
・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
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・当日は講師への質問することができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。万が一部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

■　プログラム                                                                                                    

【講座概要】
　2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体デバイスの普及が期待されている。一方、xEV向けではSiC市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が徐々に進んでいる。しかしながらGaNパワー半導体デバイスが得意とする電力容量・周波数領域ではシリコンMOSFETが、またSiCが得意な大容量用途ではIGBTが、まだまだ主役として君臨している。本セミナーでは、最強のライバルであるシリコンMOSFET、IGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

【受講後習得できること】
・パワー半導体デバイスの最新技術動向とその市場動向ならびに最新応用動向
・シリコンパワーデバイスの強みとSiC/GaN パワーデバイスの特長と課題
・SiC/GaNパワー半導体デバイス最新技術動向、酸化ガリウム開発状況

1.パワーデバイスの動向と開発のポイント
　1.1 パワーデバイスの適用分野(データセンター・サーバーへの実装, EV/PHV)
　1.2 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2.競合するシリコンパワーデバイス最新技術動向
　2.1 パワー半導体デバイス市場の現在と将来
　2.2 MOSFET、IGBT特性改善を支える技術と次の一手

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している理由
　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3.4 SiC-MOSFET普及拡大のための4つの課題
　3.5 特性改善・信頼性向上のための技術開発

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
　4.1 なぜGaNパワーデバイスはHEMT構造なのか
　4.2 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4.3 GaN-HEMTの特徴と課題
　4.4 GaN-HEMTの最新技術（高耐圧化）
　4.5 縦型GaNデバイスの最新動向

5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状と課題
　5.1 酸化ガリウムとその特徴
　5.2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況

6.SiCパワーデバイス実装技術の動向
　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6.2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
　6.3 接合材について

7.まとめ

【質疑応答】

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