【Live配信 or アーカイブ配信】GaNパワーデバイスの最新動向、課題と今後の展望

＜セミナー　No.611424＞

レアアース・レアメタルのサプライチェーンの動向と資源循環技術

★ GaNパワーデバイスの最新動向から結晶・ウェハ・プロセス技術まで徹底解説！

-----------------------------------------------------------------------------------------------

■講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　附属未来エレクトロニクス集積研究センター　未来デバイス部　特任准教授　博士（工学）　田中 敦之 氏

■聴講料

１名につき４９，５００円（消費税込・資料付き）

１社２名以上同時申込の場合１名につき４４，０００円（税込）

大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

■セミナーの受講について
・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
　→ https://zoom.us/test
・開催数日前または配信開始日までに視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
　セミナー開催日時またはアーカイブ配信開始日に、視聴サイトにログインしていただきご視聴ください。
・出席確認のため、視聴サイトへのログインの際にお名前、ご所属、メールアドレスをご入力ください。
　ご入力いただいた情報は他の受講者には表示されません。
・開催前日または配信開始日までに、製本したセミナー資料をお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。
　お申込みが直前の場合には、開催日または配信開始日までに資料の到着が間に合わないことがあります。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
　複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・アーカイブ配信セミナーの視聴期間は延長しませんので、視聴期間内にご視聴ください。

プログラムあああああああああああああああああああああああああああああああああああああ

【講座概要】
　GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。

【受講対象】
・GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者

【受講後習得できること】
・GaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望

1.GaNについて
　1.1 GaNの特徴と利用
　1.2 パワーエレクトロニクス向きの半導体
　1.3 GaNで目指す社会
　1.4 GaNパワーデバイスができるまで

2.GaN関係の動向　-GaNのプレーヤーと学会動向
　2.1 パワー半導体基板の動向
　2.2 パワー半導体の動向
　2.3 GaNのプレーヤー
　2.4 QST基板
　2.5 学会の動向　発表内容別、国別

3.GaNウェハ
　3.1 ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
　　3.1.1 GaNデバイスに用いられる基板
　　3.1.2 ヘテロエピのGaNデバイス層
　　3.1.3 QST基板
　　3.1.4 ホモエピのGaNデバイス層
　3.2 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
　　3.2.1 HVPE法について
　　3.2.2 Na-flux法について
　　3.2.3 Ammonothermal法について
　　3.2.4 OVPE法について
　3.3 GaN基板のラインナップの現状
　3.4 GaN基板の加工
　　3.4.1 GaN基板のスライス
　　3.4.2 GaN基板のレーザスライス
　　3.4.3 GaN基板の研磨
　3.5 基板・結晶評価技術・結晶欠陥
　　3.5.1 転位とはGaNの場合
　　3.5.2 転位の影響Siの場合
　　3.5.3 転位の影響SiCの場合
　　3.5.4 転位の影響GaNの場合
　　3.5.5 転位の検出方法
　　3.5.6 多光子PL顕微鏡
　　3.5.7 複屈折顕微鏡

4.GaNパワーデバイス作製プロセス
　4.1 GaN結晶と半導体プロセス
　　4.1.1 デバイスプロセスに必要なこと
　4.2 デバイス層結晶成長方法
　4.3 イオン注入について
　　4.3.1 高温高圧アニールついて
　　4.3.2 拡散について
　4.4 ゲート絶縁膜について
　4.5 ドライエッチングとウェットエッチング
　　4.5.1 GaNのエッチングについて
　　4.5.2 PECエッチングについて

5.GaNパワーデバイス
　5.1 デバイス設計と設計パラメータ
　5.2 GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
　　5.2.1 ノーマリオフ化手法
　　5.2.2 HEMTの使用例
　　5.2.3 HEMTのプロセス例
　　5.2.4 HEMTについて
　　5.2.5 pn接合に与える転位の影響
　　5.2.6 製品化していた唯一の縦型トランジスタ
　5.3 GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
　　5.3.1 PSJトランジスタ

6.今後の展望

【質疑応答】

セミナーの詳細についてはお気軽にお問い合わせください。

２名以上同時にお申込される場合、２人目以降の方の情報は【弊社への連絡事項がございましたら、こちらにお書きください】欄にご入力をお願いいたします。