最先端の材料分析で速報：ウエハ評価、グラフェンの高分解能TEM観察、3D断面観察など［ＮＴＴアドバンステクノロジ］

No.1839　2014年11月11日

● 試料1～2ヶの「TXRF分析」なら、1～2営業日で速報。

自社内では対応できない高精度な材料分析・評価・断面観察…。短納期で、
しかも低価格に対応できるのが、ＮＴＴアドバンステクノロジ株式会社様で
す。なかでも、特に自信を持って提供している3本柱を紹介します。

お困りの課題や試料にあった最適な分析手法・アイデアを、学会・技術分野
の第一線で活躍中の材料・分析研究者、技術者が提案します。
貴社の研究室の代わりにご利用いただけます。


■□――――――――― 【 ここにフォーカス 】 ―――――――――□■

材料分析に時間がかかりすぎる…感度が足りない…といったお悩みを解決。
最適な手法・設備・アイデアにより、短納期・安価に高精度なデータを提供。

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■　“トリプルビーム”のTXRF、ICP-MSによる「ウエハ汚染分析」
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高感度に測定できるTXRF(全反射蛍光X線装置)や、ICP-MS(誘導結合プラズマ
質量分析装置)を駆使した半導体プロセスでのシリコンウエハの汚染分析・
評価に対応。1×109atoms/cm2オーダーの極微量の汚染を検出できます。

同社のTXRFは、3種類のX線源(ビーム)を使い、高感度・多元素分析が可能。
X線源が2種類だけの装置では高感度に測定できないナトリウム(Na)、モリブ
デン(Mo)などの元素にも広く対応できます。


■　HRTEMによるグラフェンの「高分解能断面観察」
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0.2nm以下の高分解能で、半導体素子などの断面を観察します。

薄く（炭素原子1個分）軽いのに丈夫で、シリコンの100倍の導電性を持つ、
驚異のナノカーボン薄膜素材として注目のグラフェン、C60を内包したカー
ボンナノチューブ（SWCNT）など最先端材料に対応します。

SiC基板上のグラフェン、InP基板上のInPナノワイヤ、カーボンナノチュー
ブ、C60を内包したSWCNTなどの断面観察実績を紹介しています。


■　半導体・電池材料の立体(3D)構造を大気に触れずに把握
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集束イオンビーム装置(FIB)により試料を加工し、露出した断面を走査型電
子顕微鏡(SEM)で観察する「FIB-SEM」。FIBとSEMが同一装置内にあるため、
露出した断面を大気にさらさず、ノンダメージでSEM観察できます。

さらに、FIBで少しずつ試料の加工と観察を繰り返し、複数のSEM画像をコン
ピュータで処理して試料構造を立体的に観察できる分析手法が
「FIB-SEMによる3D再構築」です。

ソフトウェア上で立体画像を動かしたり、任意の方向から任意の断面を取り
出したりするなど、従来方法に比べて、様々な解析を迅速に実現しています。


同社はこの他にも、幅広い材料の分析・評価を受託しており、実績・事例も
多数あります。まずは、お気軽にお問い合わせください。