次世代パワー半導体素材・難削材も、高精度にマルチ加工。［セラテックジャパン］

No.1875　2015年2月3日

● 切断後のSiC、GaNウエハのソリ、厚みのバラつきが従来の半分以下

創業から30年以上に亘り、脆性材料の切断・研削・研磨加工による基礎技術
を構築してきたセラテックジャパン株式会社様。特に切断では、遊離砥粒を
用いたマルチブレード切断機を自社開発。マルチワイヤーソーも数機種、数
十台保有し、結晶物を始め様々な素材を加工。その技術力は業界トップです。

同社は市場拡大が予想される、SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）な
ど、「次世代パワー半導体」用の新素材の量産を考慮した加工技術を確立。
新たに導入したダイヤモンドワイヤーソーにより、難削材料・高硬度材料を
高精度かつ、マルチに切断できます。


■□――――――――― 【 ここにフォーカス 】 ―――――――――□■

市場拡大する次世代パワー半導体、LED関連の新素材（SiC、GaN）などの
難削材料・高硬度材料を高精度に、マルチに切断加工

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■　切断後のウエハのソリ、厚みのバラつきが従来の半分以下に
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省エネの切り札として期待される次世代パワー半導体素材は、従来のパワー
半導体の限界性能を打ち破る高出力、省エネ、CO2排出削減、バンドギャッ
プ、熱伝導度、絶縁破壊電解など、優れた特性を持っています。

普及に至っていない主な原因である、加工が難しい、非常に高価という課題
を、新たに導入したダイヤモンドワイヤーソーと同社の高硬度材料の量産切
断技術でクリア。「高品質な加工＝歩留り向上」となり、材料コストを大き
く低減できます。

今まで切断できなかった、できても精度が悪かった素材を高精度にマルチに
切断可能。SiC単結晶では、サイズ：φ4インチ、反り：0.04mm以下の実績が
あり、従来の加工機と比べ、ウエハのソリ、厚みのバラつきを半分以下に抑
えます。


■　新素材を含む、幅広い難削材料に対応
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ダイヤモンドワイヤーソーによるマルチ切断は、青色LEDや青色レーザー、
HVやEV自動車などに使用されるパワーデバイス向けの基板材料である、SiC、
GaNのほか、AlN（窒化アルミニウム）、サファイア、超硬合金、金属-セラ
ミックス、硬軟複合材料の加工に最適。また、スマートフォンやタブレット
端末に使われるSAWデバイスのサファイア代替基板などにも対応します。

ダイヤモンドワイヤーソーは同社が保有する豊富な設備の一つに過ぎません。
永年培ってきた加工ノウハウと切断技術で、要求仕様に沿った最良の精密加
工、異形加工を行います。

例えば、アルミナのマシニングセンターによる加工では、穴あけでt5:φ4±
0.01mm、ザグリで精度:±0.05mmといった実績があります。

電子・光学部品材料の切断・研削・研磨・薄膜の設計・成膜まで、試作・量
産ともにトータル対応しています。お気軽にご相談ください。