No.1883 2015年2月17日
● SiCパワー半導体中の不純物を分析 ~ SiC専用のSIMS装置で対応 ~
近年注目されている、省エネルギー性能に優れたSiCパワー半導体や、GaN系
窒化物半導体中の不純物分析について、お困りではありませんか?
表面分析で世界シェアNo.1を誇るEAG(エバンス アナリティカル グループ)
の一員として、高度な分析により早く・低価格で対応できるのが、ナノサイ
エンス株式会社様です。
特に、「SIMS(二次イオン質量分析法)」による不純物評価については、40
台以上のSIMS装置を保有。SiCもSiC材料専用のSIMS装置を使用することで、
他では得られない高感度の不純物分析を提供しています。
■□――――――――― 【 ここにフォーカス 】 ―――――――――□■
【世界シェアNo.1】蓄積された表面分析ノウハウ、優れた検出下限に注目
材料ごとに特化し、さらに高感度な「SIMS」不純物評価を実現
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■ 優れた検出下限と、分析ノウハウが蓄積された「SIMS分析」
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同社の「SIMS分析」は、優れた検出下限(1E12~1E16 at/cm3)の高感度分
析を誇っています。
材料評価においてキーとなる高感度性能を維持するために、材料ごとに区分
されたSIMS装置を多数保有。26台のセクター型SIMS装置、18台のQ-pole装置
など、Siおよび関連材料、SiC、メタルフィルム、太陽電池材料、有機ELなど
のFPD関連材料といったように材料ごとに装置を特化しています。
さらに、SiCウエハをカットせずそのまま搭載できるSIMS装置も開発。8イン
チウエハまで対応可能です。
豊富な種類の標準試料を用いた定量分析もできますので、ご相談ください。
■ GaN、HEMT系材料のSIMS、TEMによる評価の最前線を解説
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「化合物半導体国際会議」(3/11~3/12 ドイツ)にて、同社のDr.Temel
Buyuklimanli氏がパワーエレクトロニクス部門におけるSIMS、TEMによる
GaN、HEMT系材料の評価の最前線について講演を行います。
■ SiCパワー半導体の「SIMS分析」事例を紹介
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同社は、SiC基板の高品質化の進展と共に「SIMS分析」や「GDMS分析」によ
る不純物評価を長年にわたって行い、高い評価を得ています。
SiC材料専用のSIMS装置における、深さ方向分析時の「SIMS」検出下限、
深さ方向分析モードにおけるSiCエピ層中のN・Al濃度分布、基板中の金属
不純物分析といった「SIMS分析」事例については、こちらをご覧ください。
同社では、その他の不純物分析、組成分析、形態・構造観察などの表面分析
のほか、各種電子部品の信頼性試験~故障解析まで、幅広く対応しています。
また、分析に必要な各種標準試料の販売も行なっていますので、お気軽に
お問い合わせください。
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