大阪府にある 株式会社同人産業の会社情報です。
事業概要
、製品・技術・サービス
などを掲載しています。
株式会社同人産業の事業概要
■ 半導体材料
サファイア 、シリコン、SiC、GaNテンプレート、GaAs、InP、MOCVD(Epi)、LN、LT、水晶、フッ化物、その他各種結晶材料
石英、テンパックス、導電性ガラス、ファインセラミックス
■ 関連製品
ウェハーケース:カセットケース(25枚入り)、シングルケース(1枚入り)、洗浄ケース
各種研磨材:B4C(炭化ホウ素/ボロンカーバイド)、ダイヤモンドパウダー
機械装置:ワイヤソー、レーザー装置、他
株式会社同人産業の製品・技術・サービス
<サファイア>
用途:エピーSub基板、フィルター、サファイア窓、保護ガラス、機械部品、色彩宝石
製造法:キロプロス法
サイズ:Φ1mm、Φ1”、Φ1.5”、Φ2”、Φ2.5”、Φ3”、Φ4”、Φ4.5”、Φ5”、Φ6”、Φ8”、Φ10”、Φ18”、特殊口径指定可
結晶方位:C面、A面、R面、M面
傾斜角(オフ角):指定可
方位精度:±0.05°
純度:99.995%以上
ウェハー加工:スライス → 面取り → GCラッピング → ダイヤラッピング → 片面研磨 or 両面研磨 → MOCVDエピ
特殊加工:切断、研削、研磨、穴開け、座ぐり、NC加工、MC加工
その他:GaN on Sapphire
<シリコン>
種類:CZ単結晶シリコン、FZ単結晶シリコン、多結晶シリコン
サイズ:Φ1mm~Φ500mm
ウェハー加工:スライス、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、膜付け
関連製品:EPIウェハ、SOIウェハ、ソーラー用ウェハ
特殊加工:切断、研削・研磨、MC加工、穴開け、微細加工等
詳細スペック:指定可能
<単結晶SiC>
サイズ:Φ2”、Φ4”、Φ6”、Φ8”、特殊サイズ
ポリタイプ:4H
導電タイプ:N型、半絶縁型
抵抗:0.015-0.028Ω(導電)、1E6Ω以上(半絶縁)
種類:研磨ウェハ、切断ウェハ、インゴット
<GaNテンプレート(MOCVD)>
サイズ:Φ2”、Φ4”、Φ6”、等
Sub基板:Sapphire、Silicon、SiC、GaAs
分類:GaN on Sapphire、GaN on Silicon、GaN on SiC、GaN on GaAs
<その他結晶材料>
GaAs、InP、LiNbO3、LiTaO3、水晶、YAG、LBO、BBO、MgF2、CaF2、LiF、ダイヤモンド
<光学ガラス>
合成石英、溶融石英、テンパックス、イーグルXG、D263、青板、BK7、導電性ガラス
<セラミックス>
アルミナ、ジルコニア、炭化珪素(SiC)、窒化ケイ素、炭化ホウ素(B4C)、BN、PBN、AlN
<ウェハーケース>
サイズ:2インチ~12インチ
種類:カセットケース、シングルケース、フレームケース、マスクケース、洗浄ケース
<研磨材>
種類:B4C(ボロンカーバイド)、ダイヤモンドパウダー、アルミナパウダー
<機械装置>
マルチワイヤソー、レーザー加工機、レーザーマーカー、他
企業プロフィール
- 企業名
- 株式会社同人産業
- 企業名かな
- どうじんさんぎょう
- 住所
- 〒532-0004
大阪府大阪市淀川区西宮原1-7-45-1201 - 最寄り駅
- 新大阪駅(新幹線、JR線、御堂筋線)
- 代表者名
- 李 虎範(リ トラノリ)
- 設立年月日
- 2009年09月01日
- 資本金
- 10000000
- ホームページ
- 株式会社同人産業のホームページ