【Live配信セミナー 5/19】ガラスコア基板の最新動向とビア充填プロセスの開発、割れ・反りの抑制

＜セミナー No.605233＞

 【Live配信セミナー】

ガラスコア基板の最新動向と

ビア充填プロセスの開発、割れ・反りの抑制

★　熱膨張係数の制御、めっき密着性の改善！
★　510×515mm級パネルレベルサイズへ向けて！　基板の大型化と割れ・反り抑制の両立！

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■　講　師

１．(株)イオックス　研究開発部　複合材料グループ　チーフ　中辻 達也 氏
２．(株)レゾナック　先端融合研究所　プロフェッショナル　江尻 芳則 氏
３．アトテックジャパン(株)　エレクトロニクス事業部　事業部長　藤原 俊弥 氏
４．大日本印刷(株)　フェロー　倉持 悟 氏

■　聴講料

1名につき６０，５００円（消費税込、資料付）

〔１社２名以上同時申込の場合のみ１名につき５５，０００円〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください〕

◆　Live配信セミナーについてのお願い　◆

■　お申込み前にご確認ください
・ パソコンもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
快適に視聴するには30Mbbs以上の回線が必要です。

・ Zoomを使用されたことがない方は、ミーティング用Zoomクライアントをダウンロードして下さい。ダウンロードできない方はWebブラウザ(Google Chrome、Firefox、Microsoft Edge)でも受講可能です。Zoomの視聴にあたり、クライアントおよびWebブラウザは最新版にアップデートして使用してください。

・ 質問の際など、クリアな音声で会話ができるよう、ヘッドセット（イヤホンマイク）の使用をお勧めいたします。

・ Zoomの使用方法につきましては、事前にWeb等でご確認ください。

■　Live配信セミナーの受講について

・ 開講日の4～5日前に視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。

・ 出席確認のため、視聴サイトへのログインの際にお名前、ご所属、メールアドレスをご入力ください。ご入力いただいた情報は他の受講者には表示されません。

・ 開催前日着までに、製本したセミナー資料をお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。

・ 当日は講師への質問をすることができます。

・ 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。

・ 本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。

プログラム                                                                                    

【11:00-12:00】

１．めっきプライマーのガラス貫通基板への適用

(株)イオックス　研究開発部　複合材料グループ　チーフ　中辻 達也 氏

【講座の趣旨】

半導体基板のサブストレート、インターポーザーとしてガラスへの代替が有望視されている。
ガラスへの導電化方法が各種提案されており、現行技術の課題とめっきプライマーの優位性について紹介する。

【習得できる知識】

ナノ粒子、塗料、めっき、ガラスコア、beyond5G、部品内蔵基板、光電融合

１．めっきプライマーについて

　1.1　めっきプライマーの利点
　1.2　無電解めっき工程を短縮
　1.3　様々な材料に高密着
　1.4 部分めっきが容易
　1.5 基材の表面平滑性を損なわない

２．ガラスコアについて

　2.1　なぜガラス基板か？
　2.2　国内のガラスコア開発動向
　2.3　国外のガラスコア開発動向
　2.4 各メーカーの開発進捗度と課題
　2.5　課題解決に求められる特性

３．めっきプライマーのガラスへの適用

　3.1 めっきプライマーガラスへの密着メカニズム
　3.2 アニールレスめっきを実現するハイブリッド型プライマー
　3.3　密着性、信頼性、各種物性
　3.4　ガラス貫通基板への適用

４．ガラス周辺技術への応用

　4.1　高速伝送、beyond5G
　4.2　部品内蔵基板
　4.3 ハイブリッドボンディング
　4.4 光電融合

【質疑応答】

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【13:00-14:00】

２．TGV(ガラスコア基板)への焼結Cuペーストの適用

(株)レゾナック　先端融合研究所　プロフェッショナル　江尻 芳則 氏

【専門】

めっき(電解、無電解)、接続信頼性評価(はんだ接続・WB)、金属ペースト

１．焼結Cuペーストの適用アイテム

２．焼結Cuペーストのビアへの充填方法

３．焼結Cuペーストの焼結性

４．TGVへの焼結Cuペーストの適用
　4.1　焼結Cuペースト vs. 電解銅めっき
　4.2　高アスペクト比ビアへの充填性
　4.3　TGV基板の作製と信頼性評価
　4.4　焼結Cuペーストによるガラスクラック抑制効果
　4.5　510×515 mm基板への焼結Cuペースト充填方法および対応設備

５．まとめ

【質疑応答】

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【14:15-15:15】

３．ガラスコア・インターポーザ向け湿式銅めっきプロセス

アトテックジャパン(株)　エレクトロニクス事業部　事業部長　藤原 俊弥 氏

【講座の趣旨】

ガラスコアやガラスインターポーザーの市場における需要が高まりつつある中、製品確立の重要な要素技術の一つである、シード層～TGVフィリングプロセスの工法例をご紹介します。他工法との比較もありますので、プロセスご検討の一助になれば幸いです。

１．開発の背景

　1.1　マーケットニーズ
　1.2　湿式プロセスの利点

２．密着増強プロセス

　2.1　プロセスフロー
　2.2　密着増強メカニズム
　2.3　評価結果
　2.4　使用する設備

３．TGVフィリングプロセス

　3.1　工法比較
　3.2　試験結果

【質疑応答】

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【15:30-16:30】

４．ガラスコア基板の設計、開発と大面積化、信頼性評価、実装の課題

大日本印刷(株)　フェロー　倉持 悟 氏

【専門】

半導体実装高密度配線基板

【略歴】

1989年大日本印刷株式会社に入社。高密度配線基板技術に携わる。2024年フェローに就任。ガラスコア基板の製品化に携わり、現在に至る。

【講座の趣旨】

　生成AIの急速な普及により、AIデータサーバーにはこれまでにない高演算性能と低消費電力の両立が求められています。特に、XPU＋HBMによる大規模チップレット化や、パッケージ内へのCPO（Co-Packaged Optics）の混載は不可避となり、パッケージは今後200mm級へと大型化することが予測されています。
　このような背景のもと、従来の有機コア基板では反り制御や電力供給能力に限界があり、ガラスコア基板を中心とした次世代パッケージ技術が注目されています。
本講演では、
・ガラスコア基板を用いた大面積AIサーバーパッケージ構造
・TGVによる高密度電源供給設計
・無機膜RDLによる高信頼化技術
・XPU-CPO間の高速伝送設計
について、シミュレーションおよび実証データを交えて体系的に解説します。

【習得できる知識】

本講演を通じて、以下の知識・視点を習得できます。
・AIサーバーパッケージの最新技術動向
・200mm級大型パッケージの課題と対策
・有機基板とガラスコア基板の違い
・反り解析の考え方と設計指標
・パワーデンシティの世代別トレンド
・TGV設計の基本原理と電流容量設計法
・マルチTGV構造の優位性
・微細RDL設計と挿入損失の関係
・無機膜によるエレクトロマイグレーション耐性向上メカニズム
・70～100GHz帯の高速伝送設計のポイント
・ガラス基板の信頼性評価手法
・SEWARE発生メカニズムと抑制方法
・大面積パネル製造の実装課題

■ AIサーバー市場と技術背景

１．AIデータサーバーの進化と電力課題

２．XPU＋HBMチップレット構成の拡大

３．CPO混載が必要となる理由

４．パッケージサイズ拡大の将来予測

■ 大型パッケージと反り制御

５．200mm級パッケージの構造課題

６．有機コア基板の限界

７．ガラスコア基板の材料特性

８．CTEと弾性率が反りに与える影響

９．JEITA反り規格と設計マージン

１０．反りシミュレーション手法

■ 電源供給とTGV設計

１１．半導体ノード進化と要求パワーデンシティ

１２．パッケージレベルの電源供給課題

１３．TGV構造と電流密度分布

１４．Via断面積と最大電流の関係

１５．マルチTGV構造の設計指針

１６．微細ピッチTGV製造技術

■ 微細RDLと信頼性設計

１７．2/2μm級微細配線の課題

１８．配線断面積と挿入損失の関係

１９．無機被覆Cu配線の構造

２０．エレクトロマイグレーション試験結果

２１．Black式による寿命評価

■ 高速伝送設計（XPU-CPO）

２２．高速RDLアーキテクチャ設計

２３．70GHz／100GHz帯の伝送特性

２４．挿入損失低減設計のポイント

２５．AIチップレット-CPO間リンク設計

■ 実証と信頼性評価

２６．300×400mmパネル実装実証

２７．160×160mm RDL構造試作

２８．TGV完全Cu充填技術

２９．TST・HAST試験条件

３０．SEWARE発生メカニズム

３１．バッファ層の効果と設計重要性

【質疑応答】

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