近赤外線集光で、秒速・均一に試料を高温加熱［米倉製作所］

No.1629　2013年8月28日

●　最大6インチ、最高温度1100℃程度まで加熱が可能

株式会社米倉製作所様の「平板型近赤外線加熱装置」は、化合物半導体やシ
リコンウエハ、基盤、薄板鋼板などを均一に加熱するのに最適です。本装置
の加熱面積は最大6インチまで。最高温度1100℃程度の加熱ができます。


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6インチまで対応可能。シリコンウエハ、基盤、薄板鋼板等の加熱に最適
高速昇温が可能な「平板型近赤外線加熱装置」

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■　近赤外線集光で、高速・均一に試料を高温加熱
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「平板型近赤外線加熱装置」は赤外線集光加熱により、高速、高温、均一に
加熱できる点が特長。真空置換や雰囲気調整ができるほか、加熱中の試料観
察も可能です。

シリコンウエハや（樹脂）基盤、薄板鋼板の加熱に最適なほか、半導体のア
ニールやCVD装置への応用にも使用できます。試料の大きさにより、炉サイ
ズの変更が可能です。


■　ご要望の仕様での製作も可能
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低温から高温領域で、応力負荷時の試料状態等を「その場観察」できる高温
観察装置。同社は、新たな技術と製品の開発に努めています。お客様のご要
望に合わせ、細かい仕様に対応するため、受注生産も対応しています。


「平板型近赤外線加熱装置」をはじめ、各高温観察装置についてのご質問、
ご要望など、お気軽にお問い合わせください。