材料分析の新手法なら、1度でSIMSより正確な定量化を実現。［ナノサイエンス］

No.1688　2014年1月16日

● 独自開発の分析手法「PCOR-SIMS」で材料組成をより正確に定量化

各種材料の表面分析に幅広く対応するのがナノサイエンス株式会社様です。
表面分析のリーディングカンパニー米国EAGの一員として、世界一流の技術
を用いた安価で高精度な分析には定評があります。

最先端デバイスの不純物分析においても、それは発揮されています。従来の
SIMSでは測定できなかった、材料の多層構造を1度に分解して分析できる
「PCOR-SIMS」による新たな分析法と事例を紹介します。


■□―――――――― 【 ここにフォーカス 】 ――――――――――□■

高効率、高精度な不純物分析手法「PCOR-SIMS」で安価に対応。
多層構造も1度の測定で正確な分析。半導体材料・最先端デバイス等に最適

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■　「PCOR-SIMS（ピーコール・シムス）」による高感度分析とは？
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「PCOR-SIMS」は、EAGが独自に開発した表面分析手法です。
従来のSIMS（二次イオン質量分析）では測定できなかった、標準試料とは異
なる組成を持つ層でも正確な定量分析が可能。多層構造を分解できるため、
1回の測定で積層膜の全ての元素について、正確な情報を提供できます。

LSIの性能向上に伴い、検査・解析技術の重要性が高まっています。
特に、表面酸化膜の影響が無視できなくなっているSiの最先端デバイスには
最適な方法。要求されている最表面近傍の、より正確な定量化が可能です。


■　最先端のロジックLSIの深さ方向濃度評価、HBT試料の不純物分析
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現在、「PCOR-SIMS」による分析の適用が可能なものに、GaAs、InP系試料、
SiGe系試料、SiO2/Si系試料などがあります。
実際の分析事例を紹介しておりますので、ご参考になさってください。

2016年に予定されている22nmノードの最先端ロジックLSIでは、6-10nmとい
う浅い接合深さがターゲットです。事例では、元素B、As、P、それぞれの浅
深さ濃度分布が一目瞭然。表面酸化膜領域とSi基板との区別ができ、領域を
全て定量可能なので、ドーズロス現象などの定量的な評価もできます。


HBT(ヘテロバイポーラトランジスタ)構造試料におけるドーパント不純物と
汚染不純物の深さ方向分析結果を表示。材料の種類が異なるエミッタ、ベー
ス、コレクタ層について、それぞれ各不純物濃度を正確に確認できます。


今後ますます必要とされる材料の正確な分析結果。深さ方向の各点全てに
対して定量を行う「PCOR-SIMS」による分析ニーズに応じ、適用範囲も増え
ています。適用可能かどうかなど、詳細はお気軽にお問い合わせください。