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製品・技術

ロックイン赤外線発熱解析(LIT:Lock-in Thermal Emission)

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故障解析  /  自動車 電子・半導体 試験・分析・測定

基板上のプロービング ロックイン赤外線発熱解析は、電子部品や実装基板等のショート、リーク等に伴う発熱箇所を特定する方法です。
試料にパルス電圧を印加して試料表面温度を赤外線カメラで測定し、パルス電圧と同期した熱画像を解析することにより、温度上昇を高感度で検出し、熱の発生点(故障個所)を特定します。

 

  

特長

 

・LSI、電子部品等の故障箇所を非破壊で特定可能
・多層基板や積層構造部品の解析も可能
・印加電圧は±3000Vまで可能で、高耐圧素子の解析にも対応

・高密度実装多層基板や最先端パッケージ部品に対応(自社製プロービングシステムによる)

 

 プロービングシステムの詳細はこちら

 

 

原理概略

 

対象試料にパルス電圧を印加しながら、試料表面を赤外線カメラで撮影します。このときパルス電圧と同期した発熱のみを抽出することで感度を向上させます。(ロックイン解析)
また、表面温度の上昇は発熱点から表面に伝わる時間分だけ遅れるため、パルス電圧と温度変化の時間差(位相差)から、故障箇所の深さ方向の位置を推定することができます。

動作原理

 

 

解析事例

 

対象試料:ESD試験機を用いて高電圧を印加し、ショート故障状態にしたIC


モールド樹脂越しの解析 1.パッケージ樹脂開封前に(モールド樹脂越しで)ロックイン赤外線発熱解析を実施し、発熱が検出されました(位置の特定)

 

 

 

 


樹脂開封後 2.樹脂開封後にチップ(Si)表面のロックイン赤外線発熱解析を実施し、発熱箇所の絞込みができました。

 

 

 

 

 


エッチバック後 3.ICチップ上の膜を全て除去(エッチバック)し、Si表面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した結果、発熱箇所近傍に破壊痕が観察されました。

 

 

 

 

 

   

 

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