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製品・技術

ロックイン赤外線発熱解析(LIT:Lock-in Thermal Emission)

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故障解析  /  自動車 電子・半導体 試験・分析・測定

基板上のプロービング ロックイン赤外線発熱解析とは、微細化、積層化した電子部品やユニット等のショート、リーク等に伴う発熱箇所(故障箇所)を特定する方法です。ロックイン赤外線発熱解析は半導体デバイス、三次元IC、プリント基板(PCB:Printed Circuit Board)、電子ユニット・モジュールなどで生じた故障の原因究明および設計・開発のサポートや製品の品質・信頼性の評価として有効な、受託解析サービスです。

市場や製品開発時に発生した不具合、故障に対して、OKIエンジニアリングはロックイン赤外線発熱解析を用いて故障箇所を特定する解析に始まり、故障メカニズムの推定のための評価・解析、および検証実験に至るまでの各種評価をワンストップでご提供いたします。

 

  

特長

 

・LSI、電子部品等の故障箇所を非破壊で特定可能
・多層基板や積層構造部品の解析も可能
・印加電圧は±3000Vまで可能で、高耐圧素子の解析にも対応

・高密度実装多層基板や最先端パッケージ部品に対応(自社製プロービングシステムによる)

 

 プロービングシステムの詳細はこちら

 

 

原理概略

 

対象試料にパルス電圧を印加しながら、試料表面を赤外線カメラで撮影します。このときパルス電圧と同期した発熱のみを抽出することで感度を向上させます。(ロックイン解析)
また、表面温度の上昇は発熱点から表面に伝わる時間分だけ遅れるため、パルス電圧と温度変化の時間差(位相差)から、故障箇所の深さ方向の位置を推定することができます。

動作原理

 

 

解析事例

 

対象試料:ESD試験機を用いて高電圧を印加し、ショート故障状態にしたIC


モールド樹脂越しの解析 1.パッケージ樹脂開封前に(モールド樹脂越しで)ロックイン赤外線発熱解析を実施し、発熱が検出されました(位置の特定)

 

 

 

 


樹脂開封後 2.樹脂開封後にチップ(Si)表面のロックイン赤外線発熱解析を実施し、発熱箇所の絞込みができました。

 

 

 

 

 


エッチバック後 3.ICチップ上の膜を全て除去(エッチバック)し、Si表面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した結果、発熱箇所近傍に破壊痕が観察されました。

 

 

 

 

 

   

 

解析(故障/良品)・観察・分析のお問い合わせ

 

解析(故障/良品)・観察・分析について、OKIエンジニアリングまでお気軽にお問い合わせください。


お見積りのご依頼や試験可否については、製品や部品の品名情報、詳しい試験や分析の条件についてお知らせいただけるとスムーズです。  

 

参加ポータル
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