【Live配信orアーカイブセミナー 12/4】Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と日本の現状

＜セミナー　No.512411＞
【Live配信 or アーカイブ配信】

Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの

技術開発動向と日本の現状

★次世代パワーデバイスの研究開発動向と課題、今後の展望を解説します

■　講師
グリーンパワー山本研究所　所長　 工学博士　 山本 秀和　氏

（パワーデバイスイネーブリング協会 理事　 元 三菱電機 パワーデバイス開発部長　 元 千葉工業大学 教授）

■　聴講料 ： 1名につき５５，０００円（消費税込・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき４９，５００円（税込）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください〕

■Live配信セミナーの受講について

・本講座はZoomを利用したLive配信セミナーです。セミナー会場での受講はできません。

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・当日は講師への質問することができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。

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　万が一部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

■　プログラム　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【講演ポイント】
　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
　これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活の可能性について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

１．パワーデバイスの用途と電力変換

２．パワーチップおよびパワーモジュールの構造

３．Siパワーデバイス高性能化の歴史と最新構造

４．SiCパワーデバイスの優位性と技術課題

５．GaNパワーデバイスの優位性と技術課題

６．Ga2O3パワーデバイスの優位性と技術課題

７．パワーデバイス業界における日本の地位と将来展望

８．日本のパワーデバイスの復活に向けて

【質疑応答】

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